STR-W6253是一款高性能的功率MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,能够有效降低功耗并提高系统效率。
STR-W6253适用于需要高效率和高可靠性的电路设计,其卓越的电气特性和热性能使其成为众多应用的理想选择。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源极电压(Vds):60V
栅源极电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):25A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总5W
结温范围(Tj):-55℃至+175℃
封装形式:TO-247
STR-W6253具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗,提升整体效率。
2. 快速开关速度,支持高频操作,适用于高频开关电源。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 优异的热稳定性,确保在高温环境下仍能保持良好的性能。
5. 封装坚固耐用,适合工业及汽车级应用需求。
这些特性使得STR-W6253在多种电力电子应用中表现出色。
STR-W6253主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),包括AC-DC和DC-DC转换器。
2. 电机驱动与控制,如无刷直流电机(BLDC)和步进电机。
3. 电池管理系统(BMS),用于保护和监控锂离子电池组。
4. 电信设备中的功率转换模块。
5. 工业自动化设备中的功率控制电路。
其强大的性能和可靠性使其成为许多功率密集型应用的关键元件。
STR-W6253N, STR-W6253P