时间：2025/7/11 19:50:54
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CSD19536KTTR 是一款由德州仪器 (TI) 推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 DSON-8 封装形式。该器件专为高效率、高频开关应用而设计，广泛应用于 DC/DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等场景。
其低导通电阻和优化的栅极电荷特性使其能够在高频条件下提供出色的性能表现。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：24A
导通电阻（典型值）：3.7mΩ
栅极电荷：7nC
总电容：225pF
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装类型：DSON-8
CSD19536KTTR 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效减少导通损耗并提升系统效率。
2. 高频优化设计，适合在高频开关电源中使用。
3. 小型化封装，节省 PCB 布局空间。
4. 支持高达 150℃ 的结温操作，确保在高温环境下仍能保持稳定性能。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 出色的热特性和电气稳定性，适用于各种严苛的工作条件。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 各类 DC/DC 转换器和 POL（Point-of-Load）转换模块。
2. 笔记本电脑及平板设备中的负载开关。
3. 工业级电机驱动和控制电路。
4. 电池管理系统（BMS），包括保护电路和充电管理。
5. 高效电源适配器和充电解决方案。
6. 通信设备中的功率调节模块。
CSD19535KTT, CSD19537KTTR
