STR-H2014 时间：2025/12/25 22:32:32 阅读：29

STR-H2014是一款由Sanken（三肯）公司生产的高集成度、高效率的准谐振反激式控制器与MOSFET集成的功率开关芯片，广泛应用于中小功率开关电源设计中。该器件将控制器和高压MOSFET集成在一个封装内，简化了电源适配器、充电器、电视机电源、工业电源等应用中的电路设计，提高了系统的可靠性并降低了整体成本。STR-H2014适用于宽输入电压范围的应用场景，具备多种保护功能，如过流保护（OCP）、过压保护（OVP）、过温保护（OTP）以及前沿消隐（Leading Edge Blanking, LEB）等功能，能够在各种负载条件下稳定运行。其准谐振工作模式可以有效降低开关损耗，提升转换效率，并减少电磁干扰（EMI），从而满足国际能效标准，如Energy Star和DoE Level VI等要求。此外，该芯片采用特殊的启动机制，通过内置高压电流源实现快速启动，无需外部启动电阻，进一步节省了外围元件数量。STR-H2014常用于替代分立式控制器+MOSFET方案，在追求小型化、高可靠性和低成本的设计中具有显著优势。

参数

型号：STR-H2014
　　制造商：Sanken（三肯）
　　封装形式：HZIP-7
　　集成器件：PWM控制器 + 高压MOSFET
　　MOSFET耐压：800V
　　连续漏极电流（ID）：1.4A（典型值）
　　峰值电流限制：约3.5A
　　工作频率范围：约40kHz至100kHz（可变频率准谐振）
　　启动方式：内置高压电流源启动
　　工作电压范围（VCC）：9V至20V
　　欠压锁定（UVLO）：开启电压约16V，关闭电压约10V
　　最大输出功率：支持高达约65W（根据设计优化）
　　保护功能：过流保护（OCP）、过压保护（OVP）、过温保护（OTP）、前沿消隐（LEB）
　　工作温度范围：-20°C 至 +150°C
　　结温（Tj）：最高150°C
　　引脚配置：7引脚，包括 Drain、GND、FB、VCC、NC等

特性

STR-H2014的核心特性之一是其高度集成化的结构，将PWM控制器与800V耐压的MOSFET集成于同一芯片内部，并采用HZIP-7封装，极大减少了外部元件数量，提升了系统可靠性。其准谐振（Quasi-Resonant, QR）控制模式能够检测变压器初级绕组的谷底电压，在电压最低点导通MOSFET，从而显著降低开关损耗，提高电源转换效率，尤其在轻载和满载条件下均能保持较高的效率表现。这种软开关技术还有效抑制了电压尖峰和电磁干扰（EMI），使得EMI滤波电路的设计更为简单，有助于通过CISPR 22/32等电磁兼容认证。
　　该芯片具备完善的多重保护机制，确保在异常工况下仍能安全运行。例如，过流保护（OCP）通过检测MOSFET源极电阻上的电压来判断负载状态，当超过设定阈值时立即关断输出；过压保护（OVP）监测反馈回路或VCC电压，防止因反馈失效导致输出电压失控；过温保护（OTP）则通过片内温度传感器实时监控芯片温度，一旦超过安全限值即进入打嗝模式，待温度下降后自动恢复。此外，前沿消隐功能可有效避免因电流检测信号中的高频噪声引起的误触发，增强系统的抗干扰能力。
　　STR-H2014还采用了智能驱动技术，优化了栅极驱动波形，减少开关过程中的振荡和损耗。其内置高压启动电路可在AC上电后直接从高压母线汲取电流为VCC电容充电，无需外接启动电阻，不仅加快了启动速度，也提高了长期工作的可靠性。同时，芯片支持突发模式（Burst Mode）运行，在轻载或空载时自动降低开关频率，进一步降低待机功耗，满足现代节能标准的要求。整体而言，STR-H2014在性能、效率、安全性与集成度方面达到了良好平衡，是中小功率离线式开关电源的理想选择。

应用

STR-H2014主要应用于需要高效、紧凑且可靠的AC-DC电源转换场合。典型应用场景包括液晶电视、显示器、机顶盒、网络摄像头、路由器等消费类电子产品的内置电源模块。由于其支持宽输入电压范围和高集成度，特别适合全球通用输入（85VAC~265VAC）的电源适配器设计，广泛用于笔记本电脑充电器、手机充电器、LED照明驱动电源等领域。此外，在工业控制设备、智能家居终端、安防监控设备中，STR-H2014也被用作主控电源芯片，提供稳定的直流电压输出。其准谐振工作模式带来的低EMI特性，使其在对电磁干扰敏感的环境中更具优势。在家电领域，如微波炉、洗衣机、空调的辅助电源中也有广泛应用。得益于其良好的热稳定性和多重保护功能，该芯片能够在高温、高湿或长时间连续运行的恶劣环境下保持稳定工作。对于追求小型化和高性价比的电源设计方案，STR-H2014提供了极具竞争力的解决方案，尤其适用于输出功率在30W至65W之间的反激式拓扑结构电源系统。