工作电压：5V ~ 20V
　　输出峰值电流：±4A
　　传播延迟：12ns（典型值）
　　上升/下降时间：5ns / 4ns（典型值）
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装形式：8引脚SOIC
　　最大工作频率：1MHz
　　输入逻辑类型：TTL/CMOS兼容
　　输出类型：图腾柱输出
　　高压侧浮动电压：最高可达+120V
　　欠压锁定保护（UVLO）：有

IX1962的核心特性包括其高边驱动能力和出色的抗噪性能，能够有效提升功率系统的效率与稳定性。该芯片采用CMOS工艺制造，具有低静态电流和高集成度的优点。其内置的自举电路可有效支持高边MOSFET的导通，无需外部高压电源。此外，IX1962具备欠压锁定功能，在电源电压低于安全阈值时自动关闭输出，从而保护功率器件免受损坏。芯片内部还设计有高耐压的浮动电位电路，允许在高电压差条件下正常工作，适用于半桥、全桥等拓扑结构。
　　IX1962的高速响应特性使其适用于高频开关应用，能够显著降低开关损耗。其输出驱动能力强，能够快速充放电MOSFET栅极电荷，缩短开关过渡时间，减少电磁干扰（EMI）。此外，芯片采用8引脚SOIC封装，具有良好的热稳定性和空间适应性，便于在紧凑型电路设计中使用。

IX1962广泛应用于各类电力电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC变换器、电机控制驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及汽车电子系统。在电机驱动应用中，IX1962可用于控制H桥结构中的高边MOSFET，实现高效能、低损耗的电机控制。在电源管理领域，IX1962可用于驱动同步整流MOSFET，提高电源转换效率。此外，由于其良好的抗干扰能力，IX1962也适用于电磁环境复杂、对稳定性要求较高的工业控制系统。

IR2001S, MIC5021, TC4420, LM5112