类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：40V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：6A
　　导通电阻（RDS(on)）：50mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻（RDS(on)）：65mΩ @ VGS=4.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT223
　　功率耗散（Ptot）：2.5W

PBSS5140U115 采用Nexperia的先进TrenchMOS技术，具有极低的导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了系统效率。其RDS(on)在VGS=10V时仅为50mΩ，在VGS=4.5V时为65mΩ，适用于低电压驱动电路。该器件的漏极电流能力为6A，能够在较高负载下稳定运行。
　　此外，PBSS5140U115具有宽泛的栅极电压兼容性，支持从4.5V到10V的驱动电压，适用于多种控制电路设计。SOT223封装提供了良好的散热性能，同时保持了较小的PCB占用空间，非常适合高密度设计。
　　该MOSFET具有良好的雪崩能量耐受能力，提高了器件在开关过程中的稳定性与可靠性。内置的体二极管具备快速恢复特性，可在反向电流应用中提供良好的性能表现。
　　由于其优异的热稳定性和电气性能，PBSS5140U115广泛用于汽车电子、工业控制、便携式电源管理系统以及消费类电子产品中。

PBSS5140U115 适用于多种功率电子应用。在电源管理领域，常用于同步整流、DC-DC降压/升压转换器和负载开关控制。在电机控制中，该器件可作为H桥驱动元件，提供高效的功率输出。此外，该MOSFET在电池管理系统中也发挥重要作用，可用于充放电控制、过流保护等场景。
　　在汽车电子中，PBSS5140U115 可用于车载充电器、LED照明驱动和车身控制模块。在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能家电，该器件可作为高效率的开关元件，提高系统能效并降低发热。
　　此外，该器件还适用于工业自动化设备、智能电表、UPS不间断电源系统以及各种需要高效功率开关的嵌入式控制系统。

SiSS14DN, FDS6680, IRF7404, BSC050N04LS