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AONS66811 发布时间 时间:2025/4/29 13:34:50 查看 阅读:33

AONS66811是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,采用先进的制造工艺设计。该器件主要适用于需要低导通电阻和高开关速度的应用场景,例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等。其小型化的封装形式使得它非常适合于空间受限的设计环境。
  AONS66811的额定电压为30V,具有极低的导通电阻,可有效降低功率损耗,提高系统效率。同时,该器件还具备优异的热稳定性和可靠性,能够满足各种严苛的工作条件。

参数

额定电压:30V
  最大漏源电流:49A
  导通电阻(典型值):1.5mΩ
  栅极电荷:27nC
  输入电容:1290pF
  输出电容:230pF
  工作温度范围:-55℃ to 150℃
  封装形式:LFPAK88-8

特性

AONS66811的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗,提高效率。
  2. 高开关速度,可以实现快速切换,减少开关损耗。
  3. 先进的封装技术,提供卓越的散热性能。
  4. 宽泛的工作温度范围,适应多种极端环境下的应用。
  5. 良好的电气特性和机械稳定性,确保长时间运行的可靠性。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

AONS66811广泛应用于以下领域:
  1. DC-DC转换器中的功率开关。
  2. 负载开关用于便携式设备和消费电子产品。
  3. 电池管理系统的保护和控制。
  4. 电机驱动中的功率级开关。
  5. 各种工业自动化设备的电源管理和控制电路。
  6. 通信设备中的高效功率传输模块。

替代型号

AON66811, IRF3708PBF, FDP5512

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AONS66811参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥11.32643卷带(TR)
  • 系列AlphaSGT2?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)80 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)41A(Ta),200A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.5 毫欧 @ 20A,8V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.8V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)110 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5750 pF @ 40 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)7.5W(Ta),258W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线