STP85N3LH5 时间：2025/7/23 20:47:29 阅读：5

STP85N3LH5是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅技术，具备较低的导通电阻和优秀的开关性能，适用于需要高效率和高功率密度的电源管理应用。STP85N3LH5的封装形式为PowerFLAT 5x6，具有良好的散热能力和较小的尺寸，适合现代电子设备对空间和性能的双重要求。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：85A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值5.5mΩ（在VGS=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：典型值29nC
　　输入电容（Ciss）：典型值1400pF
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

STP85N3LH5具有多项优异的电气和热性能，适用于高要求的功率应用。其主要特性包括：
　　1. 低导通电阻：STP85N3LH5的导通电阻最大为5.5mΩ，在高电流应用中可显著降低功耗，提高系统效率。
　　2. 高电流承载能力：该MOSFET支持高达85A的连续漏极电流，能够满足高功率负载的需求。
　　3. 优化的开关性能：STP85N3LH5的栅极电荷（Qg）较低，减少了开关损耗，使其在高频开关应用中表现出色。
　　4. 良好的热管理：采用PowerFLAT 5x6封装，具有出色的散热能力，确保器件在高负载条件下仍能稳定工作。
　　5. 宽工作温度范围：器件可在-55°C至175°C的温度范围内工作，适应各种严苛环境条件。
　　6. 高可靠性：STP85N3LH5经过严格的质量控制和测试，确保其在长期运行中的稳定性和可靠性。

应用

STP85N3LH5广泛应用于多个高功率电子系统中，主要包括：
　　1. 直流-直流转换器：在升压（Boost）和降压（Buck）转换器中作为主开关器件，提供高效能的电压转换。
　　2. 电机驱动器：用于工业自动化和机器人系统的电机控制电路，提供高效的功率输出和精确的速度控制。
　　3. 电源管理系统：在服务器、计算机和通信设备的电源管理模块中，用于高效的功率分配和调节。
　　4. 电池管理系统：在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的电池管理系统中，用于电池充放电控制和保护。
　　5. 负载开关：在需要高电流开关的电路中，作为负载开关使用，实现快速的电源管理。
　　6. 逆变器：在不间断电源（UPS）和太阳能逆变器中，作为关键的功率开关元件，提高系统的整体效率。