AUIRFB3806是一种N沟道增强型MOSFET,专为汽车级应用设计。该器件采用TO-263-3封装形式,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适用于各种功率转换和负载开关应用。其出色的热特性和电气性能使其成为高效率、紧凑型设计的理想选择。
这种MOSFET特别适合在恶劣的工作环境下运行,例如高温、高湿度或高振动条件,同时满足严格的汽车质量标准,如AEC-Q101认证。
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):42A
导通电阻(Rds(on)):2.9mΩ(在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):175W
结温范围:-55℃至175℃
封装形式:TO-263-3
AUIRFB3806具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 较高的雪崩击穿能量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
3. 快速开关性能,支持高频操作,降低开关损耗。
4. 符合RoHS标准,环保且无铅。
5. 高可靠性,通过了严格的AEC-Q101汽车级认证,确保在极端条件下长期稳定工作。
6. 良好的热稳定性,即使在高负载情况下也能保持较低的结温。
AUIRFB3806广泛应用于汽车电子领域和其他工业场合,包括但不限于:
1. 汽车电动助力转向系统(EPAS)中的电机驱动电路。
2. 汽车空调压缩机控制模块。
3. 电池管理系统(BMS)中的充放电保护电路。
4. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。
5. 各类负载开关和继电器替代方案。
6. 工业设备中的功率调节和管理单元。
IRFB3806,
AUIRFB3207,
IXFH40N06P3