时间：2025/6/10 16:54:42
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STP7N65M2是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MDmesh技术制造，具有极低的导通电阻和优秀的开关性能，适合高频开关应用。其额定电压为650V，额定电流为7A，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。
STP7N65M2的MDmesh技术通过优化单元结构设计，在保证高耐压的同时大幅降低了导通电阻，从而提高了整体效率并减少了发热。此外，它还具备较低的栅极电荷和输出电荷，进一步提升了动态性能。
额定电压：650V
额定电流：7A
最大漏源电压（Vds）：650V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：3.4Ω（典型值，Vgs=10V）
总栅极电荷（Qg）：39nC（典型值）
输入电容（Ciss）：2840pF（典型值）
开关时间：ton=50ns，toff=45ns（典型值）
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 高耐压能力，额定电压达650V，适用于多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻（3.4Ω），可显著降低导通损耗，提高系统效率。
3. 较低的栅极电荷和输出电荷，确保了快速的开关速度和高效的动态性能。
4. 采用TO-220封装，便于散热和安装，适合各种功率模块设计。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
6. 工作温度范围广，适应极端环境条件下的使用需求。
STP7N65M2主要应用于需要高效功率转换和控制的场景中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动和控制
4. 太阳能逆变器
5. PFC（功率因数校正）电路
6. 各类工业设备中的功率管理模块
由于其出色的电气特性和可靠性，STP7N65M2非常适合对效率和热管理有较高要求的应用场合。
STP7NF65M2
IRF650
FQP12N65
STP7N65WM
