GRM1885C1H8R0DA01D 是由村田制作所(Murata)生产的多层陶瓷电容器(MLCC),属于 C0G 介质系列。该型号的电容器具有高稳定性和低温度漂移特性,适合用于对频率响应和温度稳定性要求较高的应用场景。
这种电容器广泛应用于滤波、耦合、去耦等电路中,尤其是在高频和精密电子设备中。
容值:8pF
额定电压:50V
封装尺寸:1812 (4.5mm x 3.2mm)
介质类型:C0G (NP0)
公差:±0.25pF
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
ESR:超低
DF损耗:小于0.15%(在1MHz条件下)
GRM1885C1H8R0DA01D 具有以下显著特性:
1. 高稳定性:C0G 介质确保了其在宽温度范围内具有极低的电容变化率,适用于需要高精度的应用场景。
2. 超小尺寸:采用1812封装,能够在紧凑型设计中提供优秀的性能。
3. 耐高频性能:由于其低 ESR 和低 DF 损耗,使得该电容器在高频电路中有出色的响应表现。
4. 长寿命与高可靠性:经过严格的制造工艺和质量控制,保证其在恶劣环境下的长期稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准:环保且无铅,符合国际环保法规的要求。
GRM1885C1H8R0DA01D 的典型应用场景包括:
1. 射频(RF)电路中的滤波和匹配网络。
2. 振荡器和晶体电路中的谐振元件。
3. 数据转换器(ADC/DAC)中的电源去耦和信号耦合。
4. 医疗设备、工业控制以及通信系统中的精密信号处理。
5. 高速数字电路中的旁路电容,以抑制电源噪声。
C0G 系列其他同规格产品如:ECJ-EA8R0XJ50A、TKR1812C8P0M500BT