时间：2025/7/22 7:44:29
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STP78N75F4是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的StripFET?技术，具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。该器件专为高功率开关应用设计，适用于如电源转换器、电机控制、电池管理系统和工业自动化等需要高电流和高效率的场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：75V
最大连续漏极电流（Id）：80A
导通电阻（Rds(on)）：最大8mΩ @ Vgs = 10V
栅极电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-220、D2PAK等
STP78N75F4采用了STMicroelectronics的StripFET?制造工艺，该技术通过优化器件的垂直结构，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体能效。该器件的低Rds(on)特性使其在大电流条件下也能保持较低的功率损耗，有效提升系统的热稳定性。
此外，STP78N75F4具备优良的雪崩能量耐受能力，能够承受在开关过程中可能发生的瞬时过压和过流情况，从而提高了器件的可靠性与耐用性。其高栅极电压容限（±20V）使其适用于各种栅极驱动电路，避免因驱动电压波动导致的损坏。
由于其优异的热性能和封装设计，STP78N75F4在高功率应用中表现出色，能够有效散热，降低过热风险。该器件支持快速开关操作，减少了开关损耗，适用于高频电源转换器和其他需要快速响应的电力电子系统。
STP78N75F4广泛应用于各类高功率电子设备中，包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电动工具、工业电机控制、电源供应器以及汽车电子系统。由于其高电流能力和低导通电阻，它也常用于大功率负载开关和电源管理模块中。在电动汽车和可再生能源系统中，该器件可用于电池保护电路和能量管理系统，确保高效率和高可靠性。
IRF1405、IRF1406、STP80NF75、STP75NF75、FDP80N75
