STP78N75F4是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的StripFET?技术,具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。该器件专为高功率开关应用设计,适用于如电源转换器、电机控制、电池管理系统和工业自动化等需要高电流和高效率的场合。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):75V
最大连续漏极电流(Id):80A
导通电阻(Rds(on)):最大8mΩ @ Vgs = 10V
栅极电压(Vgs):±20V
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装形式:TO-220、D2PAK等
STP78N75F4采用了STMicroelectronics的StripFET?制造工艺,该技术通过优化器件的垂直结构,显著降低了导通电阻(Rds(on)),从而减少了导通损耗,提高了整体能效。该器件的低Rds(on)特性使其在大电流条件下也能保持较低的功率损耗,有效提升系统的热稳定性。
此外,STP78N75F4具备优良的雪崩能量耐受能力,能够承受在开关过程中可能发生的瞬时过压和过流情况,从而提高了器件的可靠性与耐用性。其高栅极电压容限(±20V)使其适用于各种栅极驱动电路,避免因驱动电压波动导致的损坏。
由于其优异的热性能和封装设计,STP78N75F4在高功率应用中表现出色,能够有效散热,降低过热风险。该器件支持快速开关操作,减少了开关损耗,适用于高频电源转换器和其他需要快速响应的电力电子系统。
STP78N75F4广泛应用于各类高功率电子设备中,包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电动工具、工业电机控制、电源供应器以及汽车电子系统。由于其高电流能力和低导通电阻,它也常用于大功率负载开关和电源管理模块中。在电动汽车和可再生能源系统中,该器件可用于电池保护电路和能量管理系统,确保高效率和高可靠性。
IRF1405、IRF1406、STP80NF75、STP75NF75、FDP80N75