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STP78N75F4 发布时间 时间:2025/7/22 7:44:29 查看 阅读:10

STP78N75F4是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的StripFET?技术,具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。该器件专为高功率开关应用设计,适用于如电源转换器、电机控制、电池管理系统和工业自动化等需要高电流和高效率的场合。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):75V
  最大连续漏极电流(Id):80A
  导通电阻(Rds(on)):最大8mΩ @ Vgs = 10V
  栅极电压(Vgs):±20V
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装形式:TO-220、D2PAK等

特性

STP78N75F4采用了STMicroelectronics的StripFET?制造工艺,该技术通过优化器件的垂直结构,显著降低了导通电阻(Rds(on)),从而减少了导通损耗,提高了整体能效。该器件的低Rds(on)特性使其在大电流条件下也能保持较低的功率损耗,有效提升系统的热稳定性。
  此外,STP78N75F4具备优良的雪崩能量耐受能力,能够承受在开关过程中可能发生的瞬时过压和过流情况,从而提高了器件的可靠性与耐用性。其高栅极电压容限(±20V)使其适用于各种栅极驱动电路,避免因驱动电压波动导致的损坏。
  由于其优异的热性能和封装设计,STP78N75F4在高功率应用中表现出色,能够有效散热,降低过热风险。该器件支持快速开关操作,减少了开关损耗,适用于高频电源转换器和其他需要快速响应的电力电子系统。

应用

STP78N75F4广泛应用于各类高功率电子设备中,包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电动工具、工业电机控制、电源供应器以及汽车电子系统。由于其高电流能力和低导通电阻,它也常用于大功率负载开关和电源管理模块中。在电动汽车和可再生能源系统中,该器件可用于电池保护电路和能量管理系统,确保高效率和高可靠性。

替代型号

IRF1405、IRF1406、STP80NF75、STP75NF75、FDP80N75

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STP78N75F4参数

  • 其它有关文件STP78N75F4 View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™ DeepGATE™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)75V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C78A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11 毫欧 @ 39A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs76nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5015pF @ 25V
  • 功率 - 最大150W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称497-10400-5