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STP75NF75L 发布时间 时间:2025/6/18 21:38:38 查看 阅读:3

STP75NF75L 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,适合用于高频开关应用和电源管理领域。其优化的封装设计使其能够承受较高的电流负载,并在各种条件下保持稳定的性能。

参数

型号:STP75NF75L
  类型:N沟道MOSFET
  额定电压:75V
  额定电流:75A
  导通电阻:2.6mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:90nC(最大值)
  开关频率:支持高达1MHz
  功耗:380W
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247

特性

STP75NF75L 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),使得该器件在高电流应用中具有更高的效率。
  2. 高速开关能力,适合高频DC-DC转换器、PWM控制器等应用。
  3. 出色的热稳定性,能够在极端温度范围内可靠运行。
  4. 优化的封装设计,提供卓越的散热性能。
  5. 内置ESD保护功能,增强了器件的耐用性。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅材料。

应用

STP75NF75L 广泛应用于多种电力电子设备中,包括但不限于以下场景:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关元件。
  2. 直流电机驱动器和逆变器模块中的功率级组件。
  3. 高效DC-DC转换器和同步整流电路。
  4. 太阳能光伏逆变器和储能系统的功率管理部分。
  5. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
  6. 工业自动化设备中的功率控制单元。

替代型号

STP75HVF75L, IRF7728, FDP5500

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STP75NF75L参数

  • 制造商STMicroelectronics
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压75 V
  • 闸/源击穿电压+/- 15 V
  • 漏极连续电流75 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.01 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220
  • 封装Tube
  • 下降时间60 ns
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值)120 S
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散300 W
  • 上升时间155 ns
  • 工厂包装数量50
  • 典型关闭延迟时间110 ns