时间：2025/6/3 15:05:13
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STP75NE75是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用了先进的MDmesh?技术，具有较低的导通电阻和出色的开关性能，适用于多种高效率电源转换应用。其额定电压为75V，最大电流可达75A，非常适合用于工业、汽车及消费类电子领域中的DC-DC转换器、电机驱动器和开关电源等场景。
STP75NE75在设计时注重降低功耗和提高系统效率，同时具备良好的热性能和可靠性，使其成为高效功率管理的理想选择。
额定电压：75V
连续漏极电流：75A
导通电阻：1.6mΩ（典型值，在VGS=10V时）
栅极电荷：43nC（典型值）
输入电容：2840pF（典型值）
总功耗：250W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
STP75NE75是一款高性能的功率MOSFET，其主要特性如下：
1. 采用MDmesh?技术，优化了导通电阻和栅极电荷之间的平衡，从而提升了整体效率。
2. 具有非常低的导通电阻，可有效减少传导损耗。
3. 栅极驱动要求低，简化了驱动电路设计并降低了驱动损耗。
4. 良好的开关性能，适合高频应用。
5. 高电流处理能力，能够满足大功率应用需求。
6. 宽工作温度范围，确保在极端环境下的稳定运行。
7. 符合RoHS标准，环保且可靠。
STP75NE75广泛应用于各种需要高效功率转换的场合，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器和充电器。
2. DC-DC转换器，用于电压调节和功率分配。
3. 电机驱动器，适用于家用电器、工业设备和电动工具。
4. 电池管理系统（BMS），用于电动汽车和储能系统。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 可再生能源应用，如太阳能逆变器和风能转换系统。
IRFZ44N, FDP55K60Z
