STP75NE75是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用了先进的MDmesh?技术,具有较低的导通电阻和出色的开关性能,适用于多种高效率电源转换应用。其额定电压为75V,最大电流可达75A,非常适合用于工业、汽车及消费类电子领域中的DC-DC转换器、电机驱动器和开关电源等场景。
STP75NE75在设计时注重降低功耗和提高系统效率,同时具备良好的热性能和可靠性,使其成为高效功率管理的理想选择。
额定电压:75V
连续漏极电流:75A
导通电阻:1.6mΩ(典型值,在VGS=10V时)
栅极电荷:43nC(典型值)
输入电容:2840pF(典型值)
总功耗:250W
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-247
STP75NE75是一款高性能的功率MOSFET,其主要特性如下:
1. 采用MDmesh?技术,优化了导通电阻和栅极电荷之间的平衡,从而提升了整体效率。
2. 具有非常低的导通电阻,可有效减少传导损耗。
3. 栅极驱动要求低,简化了驱动电路设计并降低了驱动损耗。
4. 良好的开关性能,适合高频应用。
5. 高电流处理能力,能够满足大功率应用需求。
6. 宽工作温度范围,确保在极端环境下的稳定运行。
7. 符合RoHS标准,环保且可靠。
STP75NE75广泛应用于各种需要高效功率转换的场合,包括但不限于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),如AC-DC适配器和充电器。
2. DC-DC转换器,用于电压调节和功率分配。
3. 电机驱动器,适用于家用电器、工业设备和电动工具。
4. 电池管理系统(BMS),用于电动汽车和储能系统。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 可再生能源应用,如太阳能逆变器和风能转换系统。
IRFZ44N, FDP55K60Z