时间：2025/5/10 12:05:05
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FQPF8N60是一种N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装形式。这种元器件通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和各种需要高效能功率开关的应用场景中。FQPF8N60的最大耐压为600V，能够提供较低的导通电阻和快速的开关速度，从而实现高效率和低损耗的性能。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：8A
栅极电荷：17nC
导通电阻：2.5Ω
总功耗：140W
工作温度范围：-55℃ to +150℃
FQPF8N60具有较高的击穿电压（600V），使其适合于高压应用环境。同时，其较低的导通电阻可以减少功率损耗，并提高系统的整体效率。
该器件还具备优良的热稳定性和抗雪崩能力，在极端条件下仍能保持正常运行。此外，其快速的开关速度有助于降低开关损耗并支持高频操作。
FQPF8N60采用TO-220封装，便于散热和安装，适合多种工业及消费类电子设备。
FQPF8N60广泛应用于各类电力电子系统中，例如开关电源、逆变器、不间断电源（UPS）、电池充电器以及工业控制中的电机驱动等。在这些应用中，它主要作为功率开关元件使用，通过高速开关来调节电流和电压水平，从而实现对负载的有效控制。
由于其高耐压和大电流处理能力，该器件也常被用作保护电路中的关键组件，以防止过流或短路等情况发生。
IRF840, STP8NK60Z
