时间：2025/8/5 14:51:53
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IXTA60N20T-TRL 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，设计用于高电流、高效率的电源应用。这款 MOSFET 的最大漏源电压 (VDS) 为 200V，最大漏极电流 (ID) 为 60A，适用于各种需要高功率密度和低导通损耗的场景。IXTA60N20T-TRL 采用 TO-220 封装，具有良好的散热性能，适合用于工业控制、电源转换、电机驱动和电池充电器等应用。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 (VDS)：200V
最大漏极电流 (ID)：60A
导通电阻 (RDS(on))：典型值为 40mΩ
栅极阈值电压 (VGS(th))：2.1V 至 4.0V
最大功耗 (PD)：160W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
IXTA60N20T-TRL MOSFET 具有较低的导通电阻 (RDS(on))，这有助于降低导通损耗，提高整体效率。该器件的高电流承载能力使其适用于需要大功率输出的应用场景。
此外，IXTA60N20T-TRL 的 TO-220 封装提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。该 MOSFET 还具有快速开关特性，适用于高频开关电源和电机控制应用。
该器件的栅极驱动要求较低，能够在 10V 栅极驱动电压下完全导通，从而简化了驱动电路的设计。IXTA60N20T-TRL 的热稳定性较好，能够在高温环境下长时间运行而不影响性能。
另外，该 MOSFET 内部集成了体二极管，能够承受一定的反向电流，适用于桥式电路和电机驱动应用。体二极管的恢复时间较短，有助于减少开关损耗并提高系统效率。
IXTA60N20T-TRL 的封装设计便于安装和散热管理，适合在紧凑型电源设计中使用。该器件的可靠性较高，适用于工业级和商业级应用场合。
IXTA60N20T-TRL MOSFET 主要应用于高功率开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器、电池充电器以及工业自动化控制系统中。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源转换系统。
在开关电源应用中，IXTA60N20T-TRL 可以用于构建高效的 AC-DC 和 DC-DC 转换器，适用于服务器电源、通信设备电源以及工业电源模块。
在电机控制应用中，该 MOSFET 可用于构建 H 桥电路，驱动直流电机和步进电机，适用于自动化生产线、机器人控制和电动工具等场合。
此外，IXTA60N20T-TRL 还适用于电池管理系统 (BMS)，用于电池充放电控制，确保电池组的安全和高效运行。
由于其高可靠性和耐久性，该器件还广泛应用于不间断电源 (UPS)、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等新能源领域。
STP60N20-20A, FDP60N20, FQA60N20
