时间：2025/5/22 20:04:38
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CDR31BX822AMZPAT 是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路中。该芯片采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，能够满足现代电子设备对高效能和可靠性的要求。
这款器件通常用于需要快速切换和低功耗的应用场景，例如DC-DC转换器、LED驱动器以及各种工业控制领域。
类型：功率MOSFET
封装：TO-263
Vds（漏源极电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：4.5mΩ
Ids（连续漏极电流）：70A
Vgs（栅源极电压）：±20V
f（工作频率）：1MHz
Qg（栅极电荷）：30nC
Tj（结温范围）：-55℃ to +175℃
CDR31BX822AMZPAT 具有以下显著特点：
1. 超低的导通电阻，可有效降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关特性使得其适用于高频应用环境。
3. 高电流承载能力保证了在大功率应用场景下的稳定性。
4. 出色的热性能有助于提升整体系统的可靠性。
5. 封装形式紧凑，适合空间受限的设计需求。
6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
该芯片主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)，包括AC-DC适配器和DC-DC转换器。
2. 工业电机驱动和控制系统。
3. LED照明驱动电路。
4. 电池充电器及保护电路。
5. 各类消费电子产品中的功率转换模块。
6. 汽车电子设备中的负载切换与电源管理部分。
IRF640N
STP75N60LL
FDP5500
IXTH75N60L2
