时间：2025/6/3 15:04:14
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STP75N75F4是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的MDmesh技术，具有低导通电阻和高雪崩能力的特点，适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种工业应用中的功率管理。STP75N75F4封装为TO-220AC，其额定电压为75V，最大连续漏极电流为75A。
该MOSFET的设计注重高效能表现，在开关速度和导通损耗之间实现了良好的平衡，从而降低了系统的整体功耗。同时，它具备出色的热性能，有助于提高系统的可靠性和稳定性。
最大漏源电压：75V
最大连续漏极电流：75A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（典型值）：3.8mΩ
栅极电荷（Qg）：105nC
总功耗：265W
工作结温范围：-55℃至+175℃
STP75N75F4的主要特性包括：
1. 额定电压为75V，适用于中等电压的应用场合。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为3.8mΩ，有助于减少导通损耗。
3. 具有较高的雪崩击穿能量（EAS），能够承受异常情况下的瞬态过载。
4. 采用MDmesh技术，优化了单元结构以提升效率和可靠性。
5. 栅极电荷较低，有助于实现快速开关操作，减少开关损耗。
6. 宽广的工作温度范围（-55℃至+175℃），能够在极端环境下稳定运行。
7. 符合RoHS标准，环保且适合现代电子设备的需求。
此外，其坚固耐用的设计使得该器件能够胜任多种严苛条件下的应用需求。
STP75N75F4广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流或降压升压电路。
3. 工业电机控制和驱动电路。
4. 电动车充电系统及电池管理系统。
5. 太阳能逆变器和不间断电源（UPS）。
6. 各种需要高性能功率开关的应用场景，如LED照明驱动器和家电功率控制模块等。
STP75N75F7,
STP75NM60,
STP75DM6
