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STP75N75F4 发布时间 时间:2025/6/3 15:04:14 查看 阅读:9

STP75N75F4是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的MDmesh技术,具有低导通电阻和高雪崩能力的特点,适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种工业应用中的功率管理。STP75N75F4封装为TO-220AC,其额定电压为75V,最大连续漏极电流为75A。
  该MOSFET的设计注重高效能表现,在开关速度和导通损耗之间实现了良好的平衡,从而降低了系统的整体功耗。同时,它具备出色的热性能,有助于提高系统的可靠性和稳定性。

参数

最大漏源电压:75V
  最大连续漏极电流:75A
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻(典型值):3.8mΩ
  栅极电荷(Qg):105nC
  总功耗:265W
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

STP75N75F4的主要特性包括:
  1. 额定电压为75V,适用于中等电压的应用场合。
  2. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为3.8mΩ,有助于减少导通损耗。
  3. 具有较高的雪崩击穿能量(EAS),能够承受异常情况下的瞬态过载。
  4. 采用MDmesh技术,优化了单元结构以提升效率和可靠性。
  5. 栅极电荷较低,有助于实现快速开关操作,减少开关损耗。
  6. 宽广的工作温度范围(-55℃至+175℃),能够在极端环境下稳定运行。
  7. 符合RoHS标准,环保且适合现代电子设备的需求。
  此外,其坚固耐用的设计使得该器件能够胜任多种严苛条件下的应用需求。

应用

STP75N75F4广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或降压升压电路。
  3. 工业电机控制和驱动电路。
  4. 电动车充电系统及电池管理系统。
  5. 太阳能逆变器和不间断电源(UPS)。
  6. 各种需要高性能功率开关的应用场景,如LED照明驱动器和家电功率控制模块等。

替代型号

STP75N75F7,
  STP75NM60,
  STP75DM6

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STP75N75F4参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列DeepGATE?, STripFET?
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)75 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)78A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)11 毫欧 @ 39A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)76 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5015 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)150W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220
  • 封装/外壳TO-220-3