STP75N75F4是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的MDmesh技术,具有低导通电阻和高雪崩能力的特点,适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种工业应用中的功率管理。STP75N75F4封装为TO-220AC,其额定电压为75V,最大连续漏极电流为75A。
该MOSFET的设计注重高效能表现,在开关速度和导通损耗之间实现了良好的平衡,从而降低了系统的整体功耗。同时,它具备出色的热性能,有助于提高系统的可靠性和稳定性。
最大漏源电压:75V
最大连续漏极电流:75A
最大栅源电压:±20V
导通电阻(典型值):3.8mΩ
栅极电荷(Qg):105nC
总功耗:265W
工作结温范围:-55℃至+175℃
STP75N75F4的主要特性包括:
1. 额定电压为75V,适用于中等电压的应用场合。
2. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为3.8mΩ,有助于减少导通损耗。
3. 具有较高的雪崩击穿能量(EAS),能够承受异常情况下的瞬态过载。
4. 采用MDmesh技术,优化了单元结构以提升效率和可靠性。
5. 栅极电荷较低,有助于实现快速开关操作,减少开关损耗。
6. 宽广的工作温度范围(-55℃至+175℃),能够在极端环境下稳定运行。
7. 符合RoHS标准,环保且适合现代电子设备的需求。
此外,其坚固耐用的设计使得该器件能够胜任多种严苛条件下的应用需求。
STP75N75F4广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流或降压升压电路。
3. 工业电机控制和驱动电路。
4. 电动车充电系统及电池管理系统。
5. 太阳能逆变器和不间断电源(UPS)。
6. 各种需要高性能功率开关的应用场景,如LED照明驱动器和家电功率控制模块等。
STP75N75F7,
STP75NM60,
STP75DM6