类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-4.2A（@ VGS = -10V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　导通电阻（RDS(on)）：45mΩ（@ VGS = -10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：55mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：70mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容（Ciss）：420pF（@ VDS = 15V）
　　开关时间（开启）：8ns
　　开关时间（关断）：24ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/包装：SOT-23

95F136MBS采用先进的沟道设计和制造工艺，实现了极低的导通电阻（RDS(on)），在VGS = -10V时典型值仅为45mΩ，在同类P沟道MOSFET中处于领先水平。这一特性显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效，尤其适用于电池供电设备中对功耗敏感的应用。低RDS(on)还能减少发热，提升系统稳定性与可靠性，避免因温升过高导致的性能下降或损坏。
　　该器件的阈值电压（VGS(th)）范围为-1.0V至-2.0V，属于低阈值类型，意味着它可以在较低的栅极驱动电压下实现完全导通。这一特点使其非常适合与3.3V或甚至2.5V的逻辑控制器直接接口，无需额外的电平转换电路，从而简化了设计复杂度并降低了系统成本。同时，其最大栅源电压可达±20V，具备较强的抗过压能力，增强了在瞬态工况下的安全裕度。
　　95F136MBS具备优良的开关特性，开启时间仅8ns，关断时间为24ns，能够支持高频开关操作，适用于高速开关电源和快速响应的负载切换应用。输入电容仅为420pF，在保证良好驱动能力的同时降低了驱动电路的负载，有助于减少驱动功耗。
　　该器件采用SOT-23小尺寸封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，广泛应用于便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。其工作结温高达+150°C，支持宽温度范围工作，适应严苛的工业环境。此外，产品符合RoHS指令，不含铅和有害物质，满足现代环保法规要求。

95F136MBS广泛应用于各类需要高效、低功耗电源开关控制的电子系统中。常见用途包括便携式电池供电设备中的电源开关和负载切换，例如在移动设备中用于控制不同功能模块的供电以实现节能管理。它也常用于DC-DC转换器电路中作为同步整流或高端开关元件，利用其低导通电阻减少能量损耗，提高转换效率。此外，在热插拔电路设计中，该器件可用于防止上电冲击电流，保护后级电路免受损害。
　　由于其支持逻辑电平直接驱动，95F136MBS被广泛用于微控制器I/O口直接控制的开关应用，如LED驱动、继电器驱动、小型电机控制等。在电源管理系统中，它可以作为反向电流阻断二极管的替代方案（理想二极管应用），有效降低压降和发热。其高可靠性和小型封装也使其适用于工业控制、通信模块、传感器供电控制等领域。总之，凡是在低压、小功率场景下需要P沟道MOSFET进行开关控制的地方，95F136MBS都是一个高性能且经济实用的选择。

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　　 "Si2301DS",
　　 "FDMC8878",
　　 "AO3415",
　　 "RTQ2003",
　　 "FDN340P"
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