STP6NK60Z 时间：2025/12/25 6:28:26 阅读：21

STP6NK60Z是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于需要高效率和高可靠性的开关应用中。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和强大的电流承载能力，适用于各种功率转换系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：6A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（最大值）
　　功率耗散（Ptot）：40W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

特性

STP6NK60Z的主要特性包括其高电压和高电流能力，使其适用于高压功率转换应用。该器件的低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下的低功耗和高效率。此外，其高栅极电荷（Qg）设计使得在高频开关应用中仍能保持稳定的性能。该MOSFET还具有良好的热稳定性和过热保护功能，能够在恶劣的工作条件下保持可靠性。
　　另一个显著特点是其封装形式（TO-220），这种封装不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在标准的散热片上，适用于需要高功率密度的设计。STP6NK60Z在设计上优化了开关损耗，使其在DC-DC转换器、电源管理模块以及电机控制电路中表现出色。
　　此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，允许在多种控制电路中使用，包括常见的PWM控制器。这种灵活性使得STP6NK60Z可以广泛应用于不同的电子系统中。

应用

STP6NK60Z广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、电机控制和功率因数校正（PFC）电路。它也常用于工业自动化设备、消费类电子产品和家用电器中的电源管理模块。由于其高耐压和高电流能力，该器件特别适合用于需要高压输入的AC-DC电源转换系统，例如电源适配器、LED照明驱动器和UPS不间断电源。
　　在电机控制应用中，STP6NK60Z可以用于驱动小型电机或作为H桥电路的一部分，实现高效的电机调速和方向控制。此外，它还可用于高频逆变器、太阳能逆变器和储能系统的功率开关部分。