DS1249Y-070+ 是 Maxim Integrated 生产的一款非易失性静态随机存取存储器 (NVSRAM),结合了 SRAM 的高速性能和非易失性存储的特性。它具有集成的锂电池,能够在外部电源断开时保持数据完整性。
该芯片广泛应用于需要实时数据存储及断电后数据保护的场景,例如工业自动化、医疗设备、通信系统和数据记录仪等64K x 8 bits
工作电压:3.0V 至 5.5V
待机电流:小于5μA(典型值)
写入时间:无需写入周期,即时写入
数据保存时间:超过10年(在电池支持下)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:28-pin SOP
DS1249Y-070+ 具有高可靠性,其 NVSRAM 技术允许用户以 SRAM 的速度进行数据操作,同时通过内置锂电池确保数据在断电时不会丢失。
芯片内部集成了一个精准的电源监控电路,可自动检测主电源状态并在必要时切换到电池供电模式。
此外,DS1249Y-070+ 提供了硬件写保护功能,防止意外写入或篡改数据。
它还具有较低的功耗设计,使得在待机模式下的电流消耗极小,非常适合对能耗敏感的应用场景。
该芯片适用于多种需要快速读写和非易失性存储的应用场景,包括但不限于:
1. 工业控制中的数据记录与配置存储
2. 医疗仪器的状态和校准信息保存
3. 计量表(如水表、电表)的数据采集与存储
4. 通信设备的运行日志记录
5. 数据记录仪和黑匣子类设备中关键数据的存储
DS1248Y-070+, DS1249C-070+, CY14B101MN, MR25H256