时间：2025/5/27 9:11:50
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STP60N06-14是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。这款器件具有低导通电阻和高电流处理能力，适合于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等应用场合。
该MOSFET的最大漏源电压为60V，能够承受较高的瞬态电压冲击，并且其额定连续漏极电流高达38A（在环境温度为25°C时）。此外，STP60N06-14还具备快速开关特性，有助于提高效率并减少损耗。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：38A（Tc=25°C）
导通电阻：45mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：75nC（典型值）
开关时间：ton=18ns，toff=35ns
工作结温范围：-55°C至+150°C
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低传导损耗。
2. 高电流承载能力，适用于大功率应用。
3. 快速开关性能，可显著减少开关损耗。
4. 提供出色的雪崩能力和鲁棒性，增强了系统的可靠性。
5. TO-220标准封装设计，便于散热管理及安装。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
7. 支持多种保护功能，例如过流保护和短路保护。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率级开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 各类负载开关应用。
5. 电池管理系统中的保护开关。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
7. 汽车电子中的直流电机驱动和负载切换。
8. LED驱动电路中的功率调节单元。
IRFZ44N, STP60NF06, FDP150N06S
