时间：2025/5/13 9:12:28
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SLF18N50C是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用TO-220封装形式，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点。
SLF18N50C适用于需要高效功率转换的应用场合，其出色的电气性能使其成为许多工业和消费电子产品的理想选择。
型号：SLF18N50C
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：TO-220
最大漏源电压(Vds)：500V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：18A
导通电阻(Rds(on))：0.3Ω(典型值，Vgs=10V)
总功耗(Ptot)：140W
工作温度范围：-55°C至+175°C
栅极电荷(Qg)：55nC
SLF18N50C具有以下显著特性：
1. 高击穿电压（500V）确保了其在高压应用中的稳定性。
2. 较低的导通电阻（0.3Ω典型值）有助于减少导通损耗，提升效率。
3. 快速开关速度减少了开关损耗，提高了系统效率。
4. 良好的热稳定性使其能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
5. 具备较高的连续漏极电流能力（18A），适用于大电流应用。
6. TO-220封装形式便于安装和散热设计。
SLF18N50C的主要应用领域包括：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 各类负载开关应用。
5. 工业控制设备中的功率转换模块。
6. 消费电子产品中的高压功率管理电路。
STF18N50, IRF540N, FQP18N50
