STP5NK65Z 时间：2025/7/23 14:56:12 阅读：7

STP5NK65Z是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种电力电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器和电机控制电路。这款MOSFET采用了先进的MDmesh技术，提供了卓越的导通和开关性能，同时降低了导通损耗和开关损耗。STP5NK65Z的最大漏极-源极电压（VDS）为650V，最大连续漏极电流（ID）为4.8A（在25°C下），具备较高的耐压能力和良好的热稳定性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极-源极电压（VDS）：650V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：4.8A（在25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：32A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（最大值，VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：22nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

STP5NK65Z采用STMicroelectronics的MDmesh技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了效率。其1.2Ω的最大RDS(on)值在高压MOSFET中属于较低水平，使其在高压应用中表现出色。
　　此外，该器件具有较低的栅极电荷（Qg），这有助于减少开关损耗，从而实现更高的开关频率，适用于高频电源转换器设计。STP5NK65Z的栅极驱动电压范围较宽，支持在+10V至+20V之间工作，允许用户根据具体应用需求优化开关性能。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在较高的环境温度下稳定运行。TO-220封装提供了良好的散热性能，适用于需要高可靠性和高功率密度的应用场景。
　　STP5NK65Z的漏极-源极电压额定值为650V，使其适用于多种高压应用，如AC-DC电源、LED照明驱动器、工业自动化设备以及新能源系统等。

应用

STP5NK65Z主要用于高压功率转换和控制应用，例如开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电池充电器、电机驱动器和逆变器系统。由于其高耐压能力和低导通电阻，它也非常适合用于LED照明电源、家用电器和工业控制设备中的功率开关电路。
　　在AC-DC转换器中，STP5NK65Z可以作为主开关器件，用于提高转换效率并减少系统发热。在太阳能逆变器或不间断电源（UPS）中，该器件可用于实现高效的能量转换。此外，该MOSFET也适用于需要高频工作的谐振转换器和软开关拓扑结构，以降低开关损耗并提升整体性能。