H9HP52ACPMADAR-KMM 是一款由SK Hynix(海力士)公司生产的高密度、高性能的NAND闪存芯片。这款NAND闪存芯片主要用于需要大容量存储和高速数据传输的应用场景,例如智能手机、固态硬盘(SSD)、嵌入式系统等。该芯片采用BGA(球栅阵列)封装技术,具有较小的封装尺寸和良好的电气性能,适用于高密度、便携式电子产品设计。H9HP52ACPMADAR-KMM 是一款支持ONFI(Open NAND Flash Interface)标准的NAND闪存,支持高速数据读写操作,具有较高的稳定性和可靠性。
容量:512Gb(64GB)
封装类型:BGA
接口标准:ONFI 4.0
工作电压:3.3V
读取速度:最高可达533MT/s
写入速度:最高可达533MT/s
擦除速度:块擦除时间典型值为2ms
工作温度范围:-40°C至+85°C
存储单元类型:TLC(Triple-Level Cell)
H9HP52ACPMADAR-KMM 是一款高性能的TLC NAND闪存芯片,具有较高的存储密度和较低的每GB成本,适用于需要大容量存储的设备。该芯片采用ONFI 4.0接口标准,支持高速数据传输,能够满足现代设备对存储性能的需求。其BGA封装形式不仅节省空间,还提供了良好的电气连接和散热性能,适合在高密度电路设计中使用。
该芯片支持ECC(错误校正码)功能,能够自动检测和纠正数据读取过程中可能出现的错误,提高数据的完整性和可靠性。同时,它还支持坏块管理功能,能够在芯片内部自动标记和跳过坏块,从而延长芯片的使用寿命。
H9HP52ACPMADAR-KMM 的工作温度范围为-40°C至+85°C,适合在各种工业和消费类应用环境中使用。其低功耗设计有助于延长电池供电设备的续航时间,特别适用于智能手机、平板电脑和便携式存储设备等应用。此外,该芯片还支持多种高级功能,如多平面操作、缓存编程和随机数据输入等,可以进一步提升存储系统的性能。
H9HP52ACPMADAR-KMM 主要用于高性能存储系统中,如智能手机、平板电脑、嵌入式系统、固态硬盘(SSD)和便携式存储设备等。其高容量和高速性能使其成为现代移动设备和存储解决方案的理想选择。此外,该芯片也适用于工业控制系统、车载电子系统和网络通信设备等对存储性能和可靠性有较高要求的应用场景。
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