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STP50NE08 发布时间 时间:2025/7/22 15:53:30 查看 阅读:5

STP50NE08是一款由STMicroelectronics(意法半导体)制造的N沟道增强型功率MOSFET晶体管。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种高功率电子系统中。STP50NE08具有低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力,能够有效降低导通损耗,提高系统效率。该MOSFET采用TO-220AB封装,便于散热和安装,适用于多种工业和消费类应用。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(VDS):800V
  漏极电流(ID):50A(在TC=100℃)
  栅源电压(VGS):±30V
  导通电阻(RDS(on)):0.15Ω(最大值,ID=25A时)
  栅极电荷(Qg):170nC(典型值)
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装类型:TO-220AB

特性

STP50NE08的主要特性包括其高耐压能力和大电流承载能力,使其适用于高功率密度的设计。该器件的低导通电阻显著降低了导通损耗,从而提高了整体系统效率。此外,STP50NE08具备良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定运行,确保系统的可靠性。其栅极电荷较低,有助于减少开关损耗,适用于高频开关应用。STP50NE08还具有良好的抗雪崩能力,能够在瞬态过压情况下提供更高的鲁棒性。该MOSFET的TO-220AB封装设计便于散热,适用于多种PCB安装方式,确保在各种应用场景中的稳定性和耐用性。

应用

STP50NE08广泛应用于多种高功率电子设备中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、UPS系统、电机驱动器、逆变器以及工业自动化控制系统。其高耐压和大电流特性也使其适用于LED照明驱动电路、电焊机和感应加热设备等高功率应用。此外,STP50NE08还可用于消费类电子产品中的电源管理模块,如电视电源、音频放大器和智能家电控制板。

替代型号

STP60NE08, STP50NM50, STP55NF06L, IRF840, FQA50N08

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STP50NE08参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)80V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C24 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs110nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5100pF @ 25V
  • 功率 - 最大150W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称497-2787-5