时间：2025/7/22 15:53:30
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STP50NE08是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET晶体管。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种高功率电子系统中。STP50NE08具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET采用TO-220AB封装，便于散热和安装，适用于多种工业和消费类应用。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：800V
漏极电流（ID）：50A（在TC=100℃）
栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：0.15Ω（最大值，ID=25A时）
栅极电荷（Qg）：170nC（典型值）
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：TO-220AB
STP50NE08的主要特性包括其高耐压能力和大电流承载能力，使其适用于高功率密度的设计。该器件的低导通电阻显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统效率。此外，STP50NE08具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，确保系统的可靠性。其栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。STP50NE08还具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下提供更高的鲁棒性。该MOSFET的TO-220AB封装设计便于散热，适用于多种PCB安装方式，确保在各种应用场景中的稳定性和耐用性。
STP50NE08广泛应用于多种高功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS系统、电机驱动器、逆变器以及工业自动化控制系统。其高耐压和大电流特性也使其适用于LED照明驱动电路、电焊机和感应加热设备等高功率应用。此外，STP50NE08还可用于消费类电子产品中的电源管理模块，如电视电源、音频放大器和智能家电控制板。
STP60NE08, STP50NM50, STP55NF06L, IRF840, FQA50N08
