FQD2N50 时间：2025/5/20 21:23:19 阅读：21

FQD2N50是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。其高电压和低导通电阻特性使其成为高效功率转换的理想选择。该器件采用了TO-220封装形式，具有出色的散热性能。
　　这款MOSFET的最大漏源极电压为500V，能够承受较高的反向电压，同时具备快速开关速度，适用于高频开关应用。其设计注重效率和可靠性，适合工业及消费类电子产品的各种场景。

参数

最大漏源极电压(Vds)：500V
　　最大栅源极电压(Vgs)：±20V
　　漏极电流(Id)：4.3A
　　导通电阻(Rds(on))：2.9Ω
　　功耗(Ptot)：115W
　　结温范围(Tj)：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220

特性

1. 高耐压能力：500V的漏源极电压使其适用于高压环境下的开关应用。
　　2. 快速开关速度：低输入电容和优化的内部结构使得开关损耗较低，非常适合高频电路。
　　3. 低导通电阻：在典型工作条件下，Rds(on)仅为2.9Ω，有助于减少传导损耗。
　　4. 高可靠性：具备雪崩击穿保护功能，能够承受短时间内的过载情况。
　　5. 良好的热性能：采用标准TO-220封装，易于安装并具备优秀的散热能力。
　　6. 广泛的工作温度范围：支持从-55℃到+150℃的结温范围，适应多种环境条件。

应用

1. 开关电源(SMPS)：用于DC-DC转换器和AC-DC适配器中的功率开关。
　　2. 电机驱动：控制直流无刷电机或步进电机的运行状态。
　　3. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型逆变器中作为主开关元件。
　　4. 电池保护电路：防止过充、过放等异常状况对电池造成损害。
　　5. 负载开关：实现负载的动态开启与关闭，降低系统能耗。