STP50N06LFI 时间：2025/6/28 23:26:13 阅读：4

STP50N06LFI是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用。STP50N06LFI具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
　　这款MOSFET在设计上注重散热性能和电气特性优化，其额定电压为60V，最大持续漏极电流可达50A（在特定条件下）。由于其良好的热特性和电气参数，STP50N06LFI被广泛应用于消费电子、工业控制及汽车领域。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大漏极电流：50A
　　导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
　　栅极电荷：37nC（典型值）
　　输入电容：940pF（典型值）
　　总功耗：140W
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

STP50N06LFI是一款高性能的N沟道功率MOSFET，具有以下特点：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以显著减少传导损耗，提高效率。
　　2. 快速开关特性，有助于降低开关损耗，适合高频应用。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性，能够在异常条件下提供保护。
　　4. 热稳定性良好，能够适应高温环境下的长期运行。
　　5. 小巧的TO-220封装设计，便于安装与散热管理。
　　6. 符合RoHS标准，环保无铅材料制造。
　　这些特性使STP50N06LFI成为各种功率转换和控制应用的理想选择。

应用

STP50N06LFI适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于：
　　1. 开关电源（SMPS）设计中的主开关或同步整流元件。
　　2. DC-DC转换器中用于高效能量转换。
　　3. 电机驱动电路，例如步进电机或直流无刷电机控制。
　　4. 各类负载开关和保护电路。
　　5. 汽车电子系统中的功率管理模块。
　　6. 工业设备中的功率调节和控制单元。
　　该MOSFET凭借其出色的电气性能和可靠性，在众多行业中得到了广泛应用。