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CM100E3U-12H 发布时间 时间:2025/9/29 18:49:44 查看 阅读:8

CM100E3U-12H是一款由富士电机(Fuji Electric)生产的高功率IGBT模块,广泛应用于工业电力电子系统中。该模块属于富士Electric的Mini SKiiP系列,采用先进的IGBT芯片技术,具有低导通损耗和开关损耗的特点,适用于高性能逆变器和电机驱动等场合。CM100E3U-12H为三相全桥结构,内部集成了六个IGBT单元和对应的反并联二极管,构成完整的三相桥式拓扑,便于在交流电机控制、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及焊接设备中使用。该模块额定电压为1200V,额定电流为100A,能够在高温环境下稳定运行,具备良好的热稳定性和长期可靠性。其封装形式为行业标准的螺栓型模块,便于安装散热器并实现良好的热管理。此外,模块内部优化了内部引线布局,降低了寄生电感,有助于提升开关性能并减少电磁干扰。CM100E3U-12H还具备较高的绝缘性能,能够承受较高的隔离电压,适合用于需要电气隔离的工业应用场合。

参数

型号:CM100E3U-12H
  制造商:Fuji Electric
  器件类型:IGBT模块
  拓扑结构:三相全桥(6-in-1)
  集电极-发射极电压(Vces):1200V
  额定集电极电流(Ic):100A(Tc=80°C)
  最大结温(Tj):150°C
  栅极-发射极电压(Vge):±20V
  饱和导通电压(Vce(sat)):2.0V(Ic=100A, Vge=15V)
  开关时间(开通):td(on)=0.4μs, tr=0.6μs
  开关时间(关断):td(off)=1.2μs, tf=0.8μs
  热阻(Rth(j-c)):0.25°C/W(典型值)
  隔离电压(Visol):2500Vrms/1min
  封装类型:Mini SKiiP螺栓型模块

特性

CM100E3U-12H采用富士电机先进的IGBT沟槽栅技术,显著降低了导通压降和开关损耗,从而提高了整体能效。其内部芯片经过优化设计,在高频开关条件下仍能保持较低的温升,有利于提升系统功率密度。模块内部集成的续流二极管具有快速恢复特性,反向恢复时间短,反向恢复电荷小,有效减少了二极管与IGBT换流过程中的能量损耗和电压尖峰,提升了系统的可靠性和EMI性能。该模块具备良好的抗浪涌能力,可承受高达2倍额定电流的短时过载电流,适用于电机启动或负载突变等瞬态工况。其陶瓷基板采用高强度氧化铝材料,具有优异的机械强度和热稳定性,确保在温度循环和热冲击条件下长期可靠运行。模块的输出端子采用铜材质并镀锡处理,具有良好的导电性和抗氧化能力,适合大电流连接。内部键合线采用高纯度铝线,优化了电流分布和热应力匹配,防止因热膨胀差异导致的断裂问题。此外,CM100E3U-12H支持直接水冷或风冷散热方式,底部绝缘层具备高导热性,能够高效地将热量传递至散热器,延长模块使用寿命。模块设计符合RoHS环保要求,并通过了多项国际安全认证,适用于全球范围内的工业设备制造。
  该IGBT模块还具备良好的电磁兼容性设计,内部布局合理,减小了回路电感,降低了开关过程中的电压过冲和振荡现象。其栅极驱动接口设计兼容标准驱动电路,推荐栅极电阻范围为10–30Ω,可根据具体应用调整以平衡开关速度与EMI性能。模块的绝缘性能优异,可在高海拔和潮湿环境中稳定工作,适用于户外或恶劣工业环境下的电力变换装置。由于其高度集成化的设计,CM100E3U-12H能够简化系统电路布局,减少外围元件数量,提高整机装配效率和可靠性。

应用

CM100E3U-12H广泛应用于各类中高功率电力电子变换装置中。在工业自动化领域,常用于通用变频器和伺服驱动器中,作为主逆变电路的核心开关器件,实现对交流电机的精确调速与转矩控制。在可再生能源系统中,该模块可用于光伏并网逆变器的DC-AC转换级,将太阳能电池板产生的直流电高效转换为符合电网要求的交流电。在不间断电源(UPS)系统中,CM100E3U-12H承担逆变功能,确保市电中断时负载仍能获得稳定连续的交流供电。此外,该模块也适用于感应加热设备、电焊机电源、电动车辆充电装置以及有源电力滤波器(APF)等需要高效能量转换的应用场景。由于其具备高耐压和大电流承载能力,特别适合在400V工业电网系统中使用。在电机驱动类应用中,配合合适的驱动保护电路,可实现软启动、节能运行和故障自诊断等功能。其稳定的热性能和可靠的封装结构使其在长时间连续运行的工业设备中表现出色,是中等功率等级电力电子系统的理想选择。
  在系统设计中,建议为CM100E3U-12H配备完善的驱动与保护电路,包括过流保护、过热检测、欠压锁定和短路保护等功能,以充分发挥其性能优势并确保系统安全。同时,应合理设计PCB布局和散热结构,避免热点集中,延长模块寿命。

替代型号

SE100GD12E3

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CM100E3U-12H参数

  • 标准包装4
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列IGBTMOD™
  • IGBT 类型-
  • 配置单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3V @ 15V,100A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)8.8nF @ 10V
  • 功率 - 最大400W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商设备封装模块