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STP4931 发布时间 时间:2025/7/23 14:24:45 查看 阅读:9

STP4931是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效率和高可靠性的开关电路中。这款MOSFET以其高性能和可靠性著称,适用于各种工业控制、电源管理和电机驱动应用。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):600V
  最大漏极电流(Id):17A(在Tc=25℃时)
  导通电阻(Rds(on)):0.24Ω(最大值)
  栅极电荷(Qg):78nC(典型值)
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装类型:TO-220
  功率耗散(Ptot):125W

特性

STP4931具备低导通电阻,这有助于减少导通损耗并提高系统效率。其高耐压能力和较大的额定电流使其适用于高功率应用。此外,该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性,能够在恶劣的工作环境下长时间运行。器件内部设计优化了开关性能,降低了开关损耗,提高了整体能效。此外,STP4931采用了标准的TO-220封装,便于散热和安装,适用于各种PCB布局设计。
  STP4931的栅极驱动特性也十分出色,能够在较宽的栅极电压范围内稳定工作,减少了对驱动电路的要求。其快速开关能力使得它在高频应用中表现出色,能够有效降低开关损耗,提高系统整体效率。此外,该器件具有良好的短路耐受能力,能够在异常工作条件下提供更高的安全性和稳定性。
  该MOSFET还具备优异的雪崩能量耐受能力,能够在电压瞬态过冲时保护器件免受损坏。这种特性使得STP4931在电机控制和电源转换等应用中更加可靠。

应用

STP4931常用于各种工业控制设备,如变频器、伺服驱动器和电机控制器。它也适用于电源管理系统,包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)以及DC-DC转换器。此外,该器件还广泛应用于家电、照明系统和电动工具等领域,为这些设备提供高效的功率控制解决方案。

替代型号

STP4931的替代型号包括STP5531、STP5031和FQA16N60C。

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