类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大漏极电流（ID）：22A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.075Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
　　最大功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220
　　极数：3（漏极、栅极、源极）

STP423S的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。该器件的最大漏源电压为60V，最大漏极电流为22A，使其能够在中高功率应用中稳定工作。
　　该MOSFET采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能和机械稳定性，适用于高功率密度设计。TO-220封装还便于安装散热片，以进一步优化热管理。STP423S的栅极阈值电压在2V至4V之间，确保了与常见的3.3V和5V逻辑电平兼容，简化了驱动电路的设计。
　　此外，STP423S具备出色的热稳定性和高可靠性，能够在恶劣的环境条件下运行。其工作温度范围从-55°C到+150°C，适应了广泛的工作环境。该器件的最大功耗为50W，确保其在高负载条件下仍能保持稳定性能。
　　由于其高效的开关特性和低导通损耗，STP423S在高频开关应用中表现出色。它适用于各种电源管理电路，如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关。同时，其高电流容量和低RDS(on)特性也使其在马达控制和电池管理系统中具有优势。

STP423S广泛应用于电源管理领域，例如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器和同步整流器。其低导通电阻和高效率使其成为高效能电源转换设备的理想选择。
　　在工业控制和自动化系统中，STP423S用于马达驱动、继电器替代和负载开关。其高耐压能力和大电流处理能力使其能够在严苛的工业环境中稳定运行。
　　此外，该MOSFET还适用于电池管理系统，例如在电池充电和放电电路中作为开关元件。其优异的热管理和低功耗特性有助于延长电池寿命并提高系统可靠性。
　　在消费类电子产品中，STP423S可用于高效能电源管理和负载开关设计。例如，在笔记本电脑、智能电源插座和LED照明系统中，该器件能够提供高效的电能转换和稳定的性能。

IRFZ44N, FDP6N60, STP55NF06, FQP30N06