AZ5123-01H 时间：2025/8/14 2:56:35 阅读：36

AZ5123-01H是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的低电容、单向瞬态电压抑制二极管（TVS）阵列，专为高速数据线路的静电放电（ESD）保护而设计。该器件采用先进的硅雪崩技术制造，具有极低的击穿电压钳位特性，可在极短时间内将高能量瞬态脉冲安全地引导至地，从而保护下游电路免受损坏。AZ5123-01H特别适用于USB 2.0、HDMI、DisplayPort等高频接口的ESD防护，广泛应用于消费类电子产品、通信设备和工业控制系统中。

参数

类型：单向TVS二极管阵列
　　工作电压：5.0 V
　　击穿电压（min）：6.4 V
　　击穿电压（max）：7.8 V
　　钳位电压（max）：13.3 V @ Ipp = 16 A
　　峰值脉冲电流（Ipp）：16 A
　　反向漏电流（IR）：1 μA @ VRWM
　　电容（典型值）：0.3 pF @ f = 1 MHz
　　封装形式：SOT-23

特性

AZ5123-01H的核心优势在于其极低的寄生电容和快速响应时间，使其适用于高速信号线路的保护。其电容值低至0.3 pF，确保在高频传输中不会引起信号完整性问题，如反射、串扰或衰减。此外，该器件的响应时间极快，通常在皮秒级别，能够在ESD事件发生的瞬间迅速导通，将瞬态高电压脉冲钳制在安全范围内，从而有效保护敏感的电子元件。AZ5123-01H还具有优异的钳位性能，在16 A的峰值脉冲电流下，其钳位电压仅为13.3 V，显著低于传统TVS器件，从而减少对后级电路的压力。该器件的单向结构设计使其在正常工作状态下对电路的影响最小化，同时在过压事件中提供可靠的保护功能。此外，AZ5123-01H采用紧凑的SOT-23封装，便于在高密度PCB布局中使用，并具有优良的热稳定性和可靠性，适用于各种严苛的工业和消费类应用环境。

应用

AZ5123-01H主要应用于需要高速信号传输并同时要求ESD保护的电子系统中。典型应用包括USB 2.0接口、HDMI、DisplayPort、IEEE 1394（火线接口）、DVI、LVDS等高速数据线路的静电放电防护。该器件也广泛用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机等便携式电子设备，以及通信基站、工业控制设备和汽车电子系统中的接口保护电路。其低电容和快速响应特性使其成为高速差分信号线路上的理想选择，能够有效防止因静电放电、雷击浪涌或其它瞬态电压引起的电路损坏。此外，AZ5123-01H还可用于电源管理单元、传感器接口和音频/视频信号线路的保护设计中。