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IPW65R110CFD 发布时间 时间:2025/5/21 17:51:47 查看 阅读:5

IPW65R110CFD 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的高压功率 MOSFET,属于 CoolMOS 系列。该器件采用了先进的超级结技术,具有低导通电阻和高开关效率的特点,非常适合于高频开关应用和高功率密度设计。其典型应用场景包括开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及太阳能逆变器等。

参数

型号:IPW65R110CFD
  封装:TO-247-3
  VDS(漏源极电压):650V
  RDS(on)(导通电阻):110mΩ(典型值,在 VGS=10V 和 ID=19A 条件下)
  最大持续漏极电流:19A
  栅极电荷:38nC(典型值)
  反向恢复电荷:37nC(典型值)
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  总功耗:270W

特性

IPW65R110CFD 具有出色的性能表现,以下是其主要特点:
  1. 超级结技术的应用使其在高电压条件下依然能够保持较低的导通电阻,从而减少传导损耗。
  2. 快速开关能力,具备低栅极电荷和输出电荷,有助于降低开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
  4. 优化的 dv/dt 和 di/dt 特性,适合高频开关应用。
  5. 工作温度范围宽广,能够在极端环境下稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子系统中。

应用

IPW65R110CFD 的高性能使其适用于多种工业和消费类应用,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),如适配器、充电器和工业电源。
  2. DC-DC 转换器,用于电动汽车、服务器和其他高效能源转换场景。
  3. 电机驱动,例如家用电器、电动工具和工业自动化设备中的无刷直流电机控制。
  4. 太阳能微型逆变器和储能系统中的功率转换模块。
  5. PFC(功率因数校正)电路,以提高电力系统的整体效率。
  由于其高效率和可靠性,IPW65R110CFD 成为许多高要求应用的理想选择。

替代型号

IPB60R099CFD
  IPP60R099CP
  IPP065R1K4PFD

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IPW65R110CFD参数

  • 数据列表IPx65R110CFD
  • 标准包装240
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列CoolMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C31.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C110 毫欧 @ 12.7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 1.3mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs118nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3240pF @ 100V
  • 功率 - 最大277.8W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PG-TO247-3
  • 包装管件
  • 其它名称IPW65R110CFDFKSA1SP000895232