IPW65R110CFD 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的高压功率 MOSFET,属于 CoolMOS 系列。该器件采用了先进的超级结技术,具有低导通电阻和高开关效率的特点,非常适合于高频开关应用和高功率密度设计。其典型应用场景包括开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及太阳能逆变器等。
型号:IPW65R110CFD
封装:TO-247-3
VDS(漏源极电压):650V
RDS(on)(导通电阻):110mΩ(典型值,在 VGS=10V 和 ID=19A 条件下)
最大持续漏极电流:19A
栅极电荷:38nC(典型值)
反向恢复电荷:37nC(典型值)
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
总功耗:270W
IPW65R110CFD 具有出色的性能表现,以下是其主要特点:
1. 超级结技术的应用使其在高电压条件下依然能够保持较低的导通电阻,从而减少传导损耗。
2. 快速开关能力,具备低栅极电荷和输出电荷,有助于降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 优化的 dv/dt 和 di/dt 特性,适合高频开关应用。
5. 工作温度范围宽广,能够在极端环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子系统中。
IPW65R110CFD 的高性能使其适用于多种工业和消费类应用,包括但不限于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),如适配器、充电器和工业电源。
2. DC-DC 转换器,用于电动汽车、服务器和其他高效能源转换场景。
3. 电机驱动,例如家用电器、电动工具和工业自动化设备中的无刷直流电机控制。
4. 太阳能微型逆变器和储能系统中的功率转换模块。
5. PFC(功率因数校正)电路,以提高电力系统的整体效率。
由于其高效率和可靠性,IPW65R110CFD 成为许多高要求应用的理想选择。
IPB60R099CFD
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