时间：2025/7/22 22:39:51
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STP3NK60ZFP是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于高功率密度和高效率的电源转换系统。该器件采用先进的技术，具备优异的导通和开关性能，适用于诸如AC-DC电源、DC-DC转换器、马达控制、电源管理模块等高要求的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：3A
漏极-源极击穿电压（VDS）：600V
栅极-源极电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为2.5Ω（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220FP
功率耗散（PD）：40W
STP3NK60ZFP具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其高耐压能力（600V）确保了在高压环境下的稳定运行。其次，低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该MOSFET的快速开关特性有助于减少开关损耗，从而进一步提高整体能效。
封装方面，TO-220FP是一种常见的功率封装形式，具备良好的散热性能，适合高功率应用。该封装还具备良好的机械稳定性和热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。
STP3NK60ZFP还具备良好的抗雪崩能力和过载保护功能，增强了器件的可靠性和耐用性。这些特性使得该MOSFET在电源设计中具有较高的鲁棒性，适用于各种严苛的工作条件。
STP3NK60ZFP常用于各种电源转换系统，包括开关电源（SMPS）、适配器、充电器、LED照明驱动器、DC-DC转换器以及工业控制设备。其高耐压能力和优异的导通性能使其在高效率电源设计中具有重要地位。此外，该器件也适用于马达驱动和负载开关应用，能够有效提升系统的整体性能和稳定性。
STP3NK60Z, STF3NK60Z, STP4NK60ZFP
