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HM628511HLJP-12 发布时间 时间:2025/9/7 9:03:42 查看 阅读:5

HM628511HLJP-12是一款由HITACHI(现为Renesas)制造的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为512K位(64K x 8),采用高速CMOS工艺制造,适用于需要快速数据存取的系统应用。该芯片采用52引脚TSOP封装,适用于工业和商业级应用,具有低功耗和高速访问时间的特点。

参数

容量:512Kbit(64K x 8)
  电压:3.3V或5V兼容
  访问时间:12ns
  封装:52-TSOP
  工作温度:工业级(-40°C 至 +85°C)
  数据保持电压:最低可至2V
  封装类型:塑料TSOP
  引脚数:52
  读写操作:异步SRAM
  功耗:典型工作电流约120mA(待机电流<10mA)

特性

HM628511HLJP-12是一款高性能SRAM芯片,采用CMOS技术实现低功耗与高速操作的结合。其12ns的访问时间使其适用于高速缓存、嵌入式系统、工业控制设备等需要快速数据存取的应用场景。该芯片支持3.3V或5V供电,具有较好的兼容性,适用于多种系统设计。此外,该芯片具备数据保持功能,在供电电压降至2V时仍可保持数据不丢失,适合需要低电压数据保持的应用场景。其TSOP封装形式有助于减少PCB空间占用并提高高频下的稳定性。
  该芯片的异步读写控制允许与多种微处理器和控制器无缝连接,简化了系统设计。同时,该芯片在待机模式下电流极低,有助于降低整体系统功耗。其工业级温度范围(-40°C至+85°C)确保其在恶劣环境下的稳定运行。

应用

HM628511HLJP-12适用于多种需要高速数据存储的电子系统,如网络设备、工业控制器、通信模块、数据采集系统、嵌入式系统、打印机缓冲存储、图像处理设备等。由于其低功耗和高速特性,该芯片也常用于手持设备、电池供电系统以及需要高速缓存的数据处理设备中。

替代型号

CY62148EVLL-12ZE、IDT71V416S12PHG、AS6C6264-12BCN、ISSI IS61LV25616ALB-12B

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