时间：2025/9/14 14:13:56
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PMPB29XNE,115 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用Trench肖特基技术，适用于高频开关应用。该器件具有低导通电阻、高效率和优异的热性能，适用于电源管理和DC-DC转换器等应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：8.8A
导通电阻（Rds(on)）：19mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：LFPAK56（56封装）
功率耗散：48W
栅极电荷（Qg）：17nC
漏极电容（Coss）：820pF
阈值电压（Vgs(th)）：1.5V至2.5V
PMPB29XNE,115 具有多个优异的电气和热性能特点。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件采用Trench肖特基技术，提供更快的开关速度，减少开关损耗，适用于高频开关电源应用。此外，PMPB29XNE,115 的LFPAK56封装具备出色的散热性能，能够有效传导热量，提高器件在高负载条件下的稳定性。
该MOSFET还具有高耐用性和可靠性，能够在恶劣环境下稳定运行。其宽泛的栅极电压范围允许灵活的驱动设计，适用于多种电源管理拓扑结构，如同步整流、负载开关和DC-DC转换器。同时，该器件的低Qg和Coss特性使其在高频应用中表现出色，有助于减小电源模块的尺寸并提高整体能效。
PMPB29XNE,115 主要应用于电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流电路、电池充电器、电机控制器和负载开关等场景。此外，它也适用于工业自动化设备、通信电源模块以及消费类电子产品中的高效能电源设计。
PMPB29XNE,115的替代型号包括PMPB28XNE,115（30V，8A，22mΩ）和PMPB31XNE,115（30V，10A，16mΩ）。此外，也可以考虑使用SiSS188N、FDMS8878等具有相似参数的MOSFET器件作为替代。
