时间：2025/5/23 17:52:37
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SSTE32882HLBAKG8 是一款由东芝（Toshiba）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，广泛应用于各种需要高效功率转换的场景。
该 MOSFET 的封装形式为 DPAK (TO-263)，支持表面贴装技术 (SMT)，便于自动化生产和高效的散热管理。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：58A
导通电阻：2.8mΩ
栅极电荷：97nC
总电容：2640pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SSTE32882HLBAKG8 提供了非常低的导通电阻，这使得它在大电流应用中表现出色，能够显著降低功率损耗。
此外，其高开关速度和优化的栅极电荷设计有助于减少开关损耗，从而提高整体效率。
由于采用了 DPAK 封装，该器件具备良好的散热能力，适用于高功率密度的设计环境。
同时，其宽广的工作温度范围确保了即使在极端条件下也能稳定运行。
该功率 MOSFET 常用于直流电机驱动、电源供应器中的同步整流、不间断电源系统 (UPS)、太阳能逆变器以及各类工业控制设备中。
在汽车电子领域，它也适合用作负载开关或电池保护电路的一部分。
另外，在消费类电子产品如笔记本电脑适配器和游戏机电源中也有广泛应用。
SSTP328N06LH, IRF3205, FDP057AN
