时间：2025/7/23 1:11:13
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STP3NB100是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高电压、高电流N沟道MOSFET功率晶体管，广泛用于需要高效功率管理的工业和消费类应用。该器件采用TO-220封装，具备良好的热稳定性和高耐压能力，适用于开关电源、电机控制、照明系统和电源管理模块等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
连续漏极电流（ID）：3A
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约1.5Ω（典型值）
最大功耗（PD）：40W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
STP3NB100具有多个关键特性，使其在各类功率应用中表现出色。首先，其高耐压能力（100V VDS）使其适用于中高功率的开关应用，能够在较高的电压环境下稳定工作。其次，该MOSFET的连续漏极电流为3A，能够支持中等功率负载的高效控制。此外，该器件的栅源电压范围为±20V，具备良好的栅极控制能力和抗过压能力。
导通电阻（RDS(on)）约为1.5Ω，虽然相对现代低RDS(on) MOSFET较高，但在许多标准应用中仍然能够提供足够的效率。其TO-220封装设计有助于良好的散热性能，确保器件在高负载下仍能保持稳定运行。此外，STP3NB100具备良好的热稳定性，可在极端温度环境下工作，适用于多种工业和消费类电子产品。
该MOSFET的可靠性高，抗静电能力较强，适用于多种电源管理应用，包括DC-DC转换器、马达驱动、LED照明和电源开关模块等。
STP3NB100广泛应用于多种电子系统中，包括但不限于：开关电源（SMPS）中的功率开关元件、DC-DC转换器中的主控MOSFET、电机驱动电路中的功率控制元件、LED照明系统的调光与开关控制、工业自动化设备中的继电器替代元件以及家用电器中的电源管理模块。其高耐压和中等电流能力使其成为多种中功率应用的理想选择。
IRFZ44N, FDP3N50, STP4NK50Z, STP3N100
