类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：900V
　　漏极电流（Id）：60A（Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.24Ω（最大值）
　　栅极电荷（Qg）：170nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：D2PAK（TO-263）

SGL60N90BNTD 具备多项显著特性，使其在高功率应用中表现出色。
　　首先，该MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)），最大为0.24Ω，这有助于减少导通损耗并提高能效。这在高频开关应用中尤为重要，因为它可以降低MOSFET在工作时的温升，提高系统的整体效率。
　　其次，SGL60N90BNTD 支持高达900V的漏源电压（Vds），能够承受较高的电压应力，适用于高压直流电源转换和工业电源系统。其最大漏极电流为60A（在Tc=25°C下），使得该器件能够承载较大的负载电流，适用于大功率应用。
　　此外，该MOSFET具有较高的热稳定性，采用D2PAK（TO-263）封装，具有良好的散热能力，适用于高功率密度设计。这种封装形式还支持表面贴装工艺，提高了PCB布局的灵活性。
　　最后，SGL60N90BNTD 的栅极电荷（Qg）为170nC，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，这对于高频开关电源、逆变器和电机控制等应用非常关键。
　　综上所述，SGL60N90BNTD 是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET，适用于多种高电压和高电流应用场景。

SGL60N90BNTD 广泛应用于多种电力电子系统中。常见的应用包括电源转换器，如AC-DC和DC-DC转换器，在这些电路中，该MOSFET用于高效地进行功率开关操作，提升整体能效。它也常用于电机驱动和控制电路，特别是在工业自动化和电动汽车系统中，用于控制大功率电机的运行。此外，该器件还适用于电池管理系统，如储能系统和不间断电源（UPS），在这些系统中，MOSFET用于高效率的能量转换和管理。SGL60N90BNTD 还可用于逆变器系统，如太阳能逆变器和电焊机，提供高可靠性和稳定的功率输出。由于其优异的热性能和高耐压能力，该MOSFET在高电压工业设备、电源供应器和各种功率控制电路中都具有广泛的应用前景。

STF60N90M5, IPW60R900PFD7S, FQA60N90C