时间：2025/8/14 6:32:19
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P4FL13A T/R 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款MOSFET专为高效率、高频率开关应用设计，常见于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及各种高功率电子设备中。T/R标识代表该器件是以卷带包装（Tape and Reel）方式供应，适合自动化装配流程。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：120A（在TC=25°C）
功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
导通电阻（RDS(on)）：典型值为3.2mΩ（在VGS=10V时）
P4FL13A T/R MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其高电流承载能力和低热阻特性使其在高功率应用中表现出色。该器件的封装设计优化了热性能，确保在高电流工作条件下仍能保持稳定。
此外，P4FL13A T/R具有良好的抗雪崩能力和高能量耐受性，能够承受瞬时过载而不损坏。其快速开关特性使其适用于高频开关电源应用，有助于减小外部元件的尺寸并提高整体系统效率。栅极驱动电压范围宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，便于设计和集成。
P4FL13A T/R MOSFET广泛应用于各类高功率电子系统，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关、电源管理模块以及工业自动化设备。其高效率和高可靠性使其成为汽车电子、通信设备和消费类电子产品中的理想选择。
STP120N3LLF7AG | STP60NF06L | IRF1324S-7PPBF
