STP36N05LFI 时间：2025/7/22 16:01:01 阅读：6

STP36N05LFI 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、低导通损耗和快速开关应用设计，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池充电器等高频功率转换系统。STP36N05LFI 采用先进的技术制造，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流容量和良好的热性能。该MOSFET封装为TO-220，便于散热并适合工业级应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：55V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：36A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大44mΩ（在Vgs=10V）
　　功耗（Ptot）：125W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220
　　晶体管配置：单晶体管

特性

STP36N05LFI MOSFET 具有多个显著的性能优势。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。该器件的44mΩ Rds(on) 特别适用于高电流负载应用，如DC-DC转换器和电机控制。此外，STP36N05LFI 支持高达36A的连续漏极电流，具备良好的电流处理能力，可满足高性能电源系统的需求。该MOSFET的高栅极电压容限（±20V）使其在不同驱动条件下都能保持稳定运行，避免因过电压而导致的损坏。
　　该器件采用TO-220封装，具有良好的热传导性能，确保在高功耗应用中仍能维持较低的工作温度，从而提高系统的可靠性和寿命。此外，STP36N05LFI 的工作温度范围为-55°C至175°C，适用于各种严苛环境下的工业和汽车应用。该MOSFET的快速开关特性有助于降低开关损耗，使其在高频应用中表现优异。同时，其内部结构优化，减少了寄生电感和电容的影响，从而提高了整体的动态性能。STP36N05LFI 还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态高电压条件下保护器件免受损坏，增强了系统的鲁棒性。

应用

STP36N05LFI MOSFET 广泛应用于多种功率电子系统中。常见的应用场景包括同步整流的DC-DC转换器、电机驱动电路、电池充电器、太阳能逆变器以及电源管理系统。在计算机电源、服务器电源和电信设备中，该器件用于高效率的功率转换和负载管理。由于其高电流能力和低导通损耗，STP36N05LFI 也常用于工业自动化设备中的电机控制和负载开关电路。此外，该MOSFET适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和直流电机控制。在消费类电子产品中，该器件可用于高性能电源适配器和LED照明驱动电路。其高可靠性和宽温度范围也使其适合在恶劣环境下的工业控制系统中使用。