K3520 时间：2025/8/9 14:46:40 阅读：41

K3520是一款由韩国KEC公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率转换电路中。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高电流承载能力的特点，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等应用。K3520采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能，适合中高功率应用环境。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：9A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.28Ω（最大值）
　　功率耗散（PD）：60W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：TO-220

特性

K3520 MOSFET的核心特性之一是其高耐压能力，漏源电压（VDS）可达200V，使其适用于中高压电源系统。该器件的栅源电压（VGS）为±30V，提供了良好的栅极控制能力，并具备一定的过压保护能力。
　　导通电阻方面，K3520的最大RDS(on)为0.28Ω，在同类器件中处于中等水平，能够在导通状态下降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的连续漏极电流承载能力（9A），可在高负载条件下稳定工作。
　　K3520采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适合焊接在PCB板上并进行散热设计。其功率耗散能力为60W，支持在中高功率环境下长时间运行。
　　该MOSFET还具有良好的热稳定性和抗冲击能力，适用于工业控制、电源适配器、电池管理系统、电机驱动等场景。由于其封装形式成熟、参数适中，K3520在成本敏感型设计中得到了广泛应用。

应用

K3520 MOSFET广泛应用于多种功率电子系统中，主要包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机控制电路以及电池管理系统（BMS）。在开关电源中，K3520可作为主开关器件，用于实现高效的能量转换，同时具备良好的耐压能力和导通性能，能够满足中高压输入条件下的稳定运行需求。
　　在DC-DC转换器中，K3520常用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构中，作为功率开关元件，实现电压调节和能量传输。其低导通电阻特性有助于降低系统损耗，提高转换效率。
　　作为负载开关使用时，K3520能够实现对负载的快速通断控制，适用于需要频繁开关操作的系统，如LED驱动、继电器替代、风扇控制等场景。
　　在工业控制和自动化设备中，K3520可用于电机驱动电路，提供稳定的功率输出并支持PWM调速功能。此外，该器件还可用于电池管理系统中的充放电控制，确保电池组在安全范围内运行。