时间：2025/7/23 7:17:59
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STP34NM60N是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于各种高功率和高频开关电路中。该器件采用了先进的制造工艺，具备优异的导通和开关性能，能够在高压和大电流条件下稳定工作。STP34NM60N的漏源电压（VDS）为600V，连续漏极电流（ID）可达34A，适用于电源转换、电机控制、照明系统和消费类电子产品中的功率管理。
型号: STP34NM60N
类型: N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds): 600V
最大漏极电流(Id): 34A
最大栅源电压(Vgs): ±30V
导通电阻(Rds(on)): 0.18Ω（典型值）
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
封装形式: TO-220
STP34NM60N具有低导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流工作时能够显著降低导通损耗，提高整体效率。此外，该器件具备快速开关特性，适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器、PFC（功率因数校正）电路以及逆变器系统。
其高耐压特性使其在600V高压应用中表现出色，适用于工业电源、电机驱动和LED照明等对可靠性和效率要求较高的场景。该MOSFET的栅极驱动电压范围宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，便于设计和应用。
STP34NM60N采用了先进的PowerMESH技术，提升了热稳定性和电气性能，同时具备良好的雪崩能量承受能力，增强了器件在恶劣环境下的可靠性。此外，该器件的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，适用于多种PCB布局和安装方式。
STP34NM60N广泛应用于开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、DC-DC转换器、UPS系统、电机控制、照明电子镇流器、太阳能逆变器以及消费类电子产品中的功率开关控制。其高可靠性和高效能特性也使其适用于工业自动化和电机驱动系统。
STP34NM60ND, STP36NF06L, STP24NM60ND, STP32NM60N
