CPH5826-TL-E 时间：2025/9/20 7:47:38 阅读：5

CPH5826-TL-E是一款由Central Semiconductor Corp生产的双N沟道MOSFET晶体管，专为高效率、小尺寸和高性能应用而设计。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）和快速开关特性，适合用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器以及电池供电设备中的功率控制等场景。CPH5826-TL-E封装在小型SOT-363（SC-88）封装中，这种六引脚的小型化封装非常适合空间受限的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和无线传感器节点等。
　　该MOSFET组合器件内部集成了两个独立的N沟道场效应晶体管，允许设计者在单个芯片上实现双路控制或同步整流功能，从而节省PCB面积并简化电路布局。其额定电压为20V，能够支持较低电压系统的安全运行，并具备良好的热稳定性和可靠性。此外，由于采用了无铅（RoHS合规）制造工艺，CPH5826-TL-E符合现代环保标准，适用于对环境要求严格的工业与消费类电子应用。

参数

类型：双N沟道MOSFET
　　极性：N-Channel
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：600mA
　　脉冲漏极电流（IDM）：2.4A
　　导通电阻RDS(on) @ VGS=4.5V：450mΩ
　　导通电阻RDS(on) @ VGS=2.5V：600mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值1.1V，最大值1.5V
　　输入电容（Ciss）：典型值19pF
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/包装：SOT-363（SC-88）、6引脚
　　安装类型：表面贴装
　　通道数：2
　　功耗（Pd）：500mW

特性

CPH5826-TL-E采用先进的沟槽型MOSFET结构，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡，使其成为低电压、低功耗系统中的理想选择。该器件在VGS=4.5V时，RDS(on)仅为450mΩ，而在更低驱动电压VGS=2.5V下也能保持600mΩ的低阻状态，这表明它能够在电池供电系统中高效运行，即使随着电池放电导致电压下降，仍能维持良好的导通能力，减少能量损耗，提高整体能效。
　　该器件的输入电容（Ciss）仅为19pF（典型值），意味着其栅极充放电所需电荷量非常小，因此可以实现快速的开关响应，降低开关过程中的动态损耗，特别适用于高频开关应用如同步降压转换器或LED背光驱动电路。同时，低栅极电荷也有助于减轻驱动IC的负担，使控制器更容易驱动多个此类MOSFET而不增加额外的驱动电路复杂度。
　　CPH5826-TL-E的工作结温可达+150°C，展现出出色的热稳定性与长期可靠性，可在严苛环境下持续运行。其-55°C至+150°C的宽工作温度范围也使其适用于工业级应用场合。此外，该器件具有较低的阈值电压（VGS(th)典型值为1.1V，最大1.5V），确保在逻辑电平信号（如1.8V或2.5V系统）下即可实现完全导通，增强了与现代微控制器和数字逻辑接口的兼容性。
　　SOT-363（SC-88）封装不仅体积小巧，节省PCB空间，还具备良好的散热性能，通过优化的引脚布局和内部结构设计，有效将热量传导至PCB焊盘，提升功率密度。整个器件符合RoHS指令，不含铅和其他有害物质，满足绿色环保产品的要求。

应用

CPH5826-TL-E广泛应用于需要紧凑尺寸和高效率的便携式电子设备中。典型应用场景包括移动电话和平板电脑中的电源路径管理、电池充电与放电控制、负载开关以及USB端口的过流保护电路。其双通道结构允许独立控制两路不同的电源轨，例如为主处理器和外设模块分别供电，实现精细化电源管理以延长电池寿命。
　　在DC-DC转换器拓扑中，特别是非隔离式降压（Buck）或升压（Boost）电路中，CPH5826-TL-E可用于同步整流结构，其中一个MOSFET作为主开关，另一个作为续流开关，显著降低传统肖特基二极管带来的压降损耗，从而提升转换效率。该特性尤其有利于低输出电压（如1.2V、1.8V）和大电流需求的应用场景。
　　此外，该器件也适用于LED驱动电路，尤其是在需要精确控制多组LED亮度或实现分时点亮的背光系统中。由于其快速开关能力和低栅极电荷，能够很好地配合PWM调光信号工作，减少延迟和失真。
　　其他应用还包括便携医疗设备、智能手表、TWS耳机、物联网传感器节点、固态继电器替代方案以及各种需要双路N-MOS开关的小信号开关电路。其高集成度和小封装特性极大简化了系统设计，提高了产品的可靠性和市场竞争力。