时间：2025/7/23 8:36:37
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STP30H100 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于高功率开关应用，具备良好的导通特性和耐压能力。STP30H100广泛应用于电源转换器、电机驱动、工业自动化设备和开关电源等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：30A
漏源击穿电压（VDS）：100V
栅源击穿电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大65mΩ（典型值50mΩ）
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-220、TO-247等
功率耗散（PD）：160W
STP30H100 MOSFET采用了先进的工艺技术，具有较低的导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗。其高耐压特性（100V VDS）使其在多种高电压应用中表现优异。此外，该器件的封装形式如TO-220和TO-247提供了良好的散热性能，确保在高功率环境下稳定工作。
该器件的栅极驱动设计简单，可兼容常见的驱动电路。其快速开关特性使其适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。STP30H100的可靠性和耐用性使其成为工业和汽车电子领域中广泛使用的MOSFET之一。
STP30H100常用于各种高功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和工业自动化控制系统。此外，它还适用于电池管理系统（BMS）、电动车充电器以及需要高效率和高可靠性的电源管理应用。
STP30H100CFP, STP30H100S, IRF1405, FDP3030HL
