时间：2025/8/13 3:08:31
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LBTN5100Z4TZHG是一款由Rohm Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET，专为高效率功率转换和开关应用而设计。该器件采用小型表面贴装封装（如TSZ型），适用于空间受限的高密度电路设计。LBTN5100Z4TZHG具有低导通电阻（RDS(on)）和快速开关特性，能够在高频率下工作，从而提高系统效率并减少热量产生。该MOSFET适用于电池供电设备、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：1.0A（连续）
最大漏源电压（VDS）：50V
最大栅源电压（VGS）：±12V
导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω @ VGS=4.5V
栅极电荷（Qg）：8.5nC @ VGS=4.5V
功耗（PD）：200mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TSZ（超小型表面贴装）
LBTN5100Z4TZHG具备低导通电阻，能够在低电压条件下实现高效的功率传输，减少能量损耗。其快速开关能力使其适用于高频操作，有助于减小外部电感和电容的尺寸，从而提升整体系统效率。该器件采用先进的沟槽式MOSFET结构，提供了优异的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定运行。此外，LBTN5100Z4TZHG具有良好的抗雪崩能力和过载保护性能，适用于要求高可靠性的工业和消费类电子产品。其小型封装设计有助于节省PCB空间，提高产品集成度。
该MOSFET还具备低栅极电荷特性，降低了开关损耗，并提高了动态响应能力。其±12V的栅源电压耐受能力使得在不同驱动条件下都能保持稳定工作，适用于多种控制电路设计。
LBTN5100Z4TZHG广泛应用于便携式电子设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。它也可用于DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、电池保护电路和负载开关控制。此外，该器件适用于低功耗电机驱动电路、LED照明调光系统以及各种需要高效功率控制的小型电子设备。在工业自动化和物联网（IoT）设备中，LBTN5100Z4TZHG也常用于实现高效的能量管理和功率调节功能。
RBTN5100Z4TZHG、DMN6100LVT-7、FDN5100B、FDC6302、Si2302DS
