LH5116NA10 时间：2025/8/27 23:16:37 阅读：21

LH5116NA10 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 CMOS 技术制造的 16K 位（2K x 8）静态随机存取存储器（SRAM）。这款芯片专为低功耗、高性能应用设计，广泛用于工业控制、通信设备、消费电子和汽车电子等领域。其采用标准的 28 引脚 DIP 或 SOP 封装，兼容多种主流控制器接口，适合嵌入式系统和数据存储模块。

参数

容量：16K 位（2K x 8）
　　电压范围：2.7V 至 5.5V
　　访问时间（tRC）：10 ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：28-DIP / 28-SOP
　　输入/输出电平：CMOS 兼容
　　功耗：典型 10 mA（待机模式下小于 10 μA）

特性

LH5116NA10 的核心特性之一是其宽电压工作范围，支持从 2.7V 到 5.5V 的电源供电，使其适用于多种电源环境，包括电池供电系统。该芯片具备高速访问时间，仅为 10 ns，能够满足高速数据处理的需求。此外，LH5116NA10 提供低功耗待机模式，在待机状态下电流消耗可降至 10 μA 以下，有助于延长便携设备的电池寿命。
　　在可靠性方面，该 SRAM 采用了先进的 CMOS 工艺，具备良好的抗干扰能力和稳定性，适用于高温环境（最高可达 85°C）。其引脚布局与标准 SRAM 兼容，便于替换和升级。同时，LH5116NA10 还具备数据保持功能，在掉电情况下，只要保持电源不低于最低工作电压，存储的数据不会丢失。
　　此外，该芯片支持全地址/数据总线控制，具备独立的片选（CE）和输出使能（OE）控制信号，便于系统设计人员进行灵活的存储器管理。

应用

LH5116NA10 主要应用于需要中等容量高速存储的嵌入式系统中。例如，它常用于工业自动化设备中的缓存存储器、通信模块中的临时数据存储、医疗设备中的状态记录、以及汽车电子中的控制单元数据缓冲。此外，由于其宽温范围和低功耗特性，该芯片也适用于户外设备、智能电表、手持终端和远程监控系统等对稳定性和可靠性要求较高的场景。