时间：2025/6/29 10:34:00
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STP2NK90Z 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。STP2NK90Z 广泛应用于电源管理领域，例如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等场景。
该器件的最大工作电压为 90V，能够满足多种中低压应用需求，同时其封装形式紧凑，有助于减少 PCB 空间占用并简化设计。
最大漏源极电压：90V
连续漏极电流：2A
导通电阻（Rds(on)）：75mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：4.5nC（典型值）
输入电容：460pF（典型值）
总功耗：3.8W
结温范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-23
STP2NK90Z 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以降低功率损耗，提高系统效率。
2. 高开关速度和低栅极电荷设计，适合高频开关应用。
3. 小型 SOT-23 封装，节省空间且易于安装。
4. 出色的热稳定性，确保在高温环境下的可靠运行。
5. 提供反向恢复电荷非常低的二极管效应，适用于同步整流电路。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
STP2NK90Z 可广泛用于以下应用场景：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率级开关。
2. 各种电池供电设备中的负载开关。
3. 小型电机驱动控制，如风扇或泵。
4. LED 驱动器和背光解决方案。
5. 保护电路设计，例如过流保护和短路保护。
6. 同步整流和续流二极管替代方案。
IRLML6402, FDN340P, AO3400
