类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：18A
　　最大漏源电压：600V
　　栅极阈值电压：2V~4V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.25Ω（最大值）
　　漏极电容（Coss）：860pF
　　封装形式：TO-220、TO-3P、TO-247等
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

18N60M2 MOSFET具备多项优异的电气和物理特性。首先，其高耐压（600V）能力使其能够胜任高电压应用环境，同时具备良好的热稳定性和抗过载能力。
　　其次，该器件的导通电阻较低（最大0.25Ω），有助于减少导通损耗，提高整体系统的能效。这对于高频率开关应用尤其重要，因为它能够有效降低功率损耗并减少发热。
　　此外，18N60M2 具有较快的开关速度，能够支持高频率的开关操作，从而减少外围电路的体积，提高系统的功率密度。该器件的栅极阈值电压范围为2V~4V，确保了其在不同驱动电路中的兼容性。
　　在封装方面，18N60M2 提供多种封装形式，如TO-220、TO-3P和TO-247等，适用于不同的安装需求和散热条件。这些封装形式不仅便于安装和焊接，还能有效提升器件的散热性能，确保长时间运行的可靠性。
　　最后，该MOSFET具有较强的抗冲击能力和良好的短路耐受性能，适用于复杂的电气环境，能够在高应力条件下保持稳定的工作状态。

18N60M2 MOSFET因其优异的性能被广泛应用于多个高功率领域。首先，在开关电源（SMPS）中，该器件用于高频开关操作，提高电源转换效率并减少能量损耗。其低导通电阻和高开关速度使其成为电源管理系统的理想选择。
　　其次，该器件常用于DC-DC转换器中，用于将直流电压转换为不同电平的直流电压。其高耐压和低损耗特性使其在高效能转换器中表现出色。
　　此外，18N60M2 还适用于电机驱动系统，如无刷直流电机（BLDC）和步进电机控制。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其能够在电机启动和高负载条件下保持稳定运行。
　　在逆变器系统中，该MOSFET被用于将直流电转换为交流电，广泛应用于太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统。其高耐压能力和快速开关特性有助于提升系统的整体效率和稳定性。
　　此外，18N60M2 还可用于工业自动化设备、LED照明驱动电路、电焊机和感应加热系统等高功率应用场合。

IRF740、FQA18N60、STP18N60M2、TK18A60D、FDP18N60