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STN2NE10L 发布时间 时间:2025/8/2 8:18:37 查看 阅读:34

STN2NE10L 是一款双极型晶体管(NPN型),属于低噪声高频率晶体管。该器件由意法半导体(STMicroelectronics)制造,广泛用于射频(RF)和微波应用,特别是在低噪声放大器(LNA)设计中表现出色。其设计支持高频工作,适用于通信系统、广播接收器和其他需要高增益和低噪声性能的电路。

参数

晶体管类型:NPN型双极晶体管
  最大集电极电流:100 mA
  最大集射电压:30 V
  最大基射电压:5 V
  最大耗散功率:300 mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-92
  过渡频率:250 MHz
  噪声系数:0.55 dB(典型值)
  电流增益带宽:250 MHz

特性

STN2NE10L 拥有卓越的低噪声性能,使其成为低噪声放大器(LNA)设计的理想选择,尤其是在射频接收前端。该器件的高过渡频率(ft)达到250 MHz,能够支持高频信号放大应用。其噪声系数在典型工作条件下低至0.55 dB,显著减少了信号传输中的噪声干扰,提高了信号的清晰度。
  此外,STN2NE10L 采用TO-92封装形式,具有良好的热稳定性和机械可靠性,适合在多种环境条件下使用。该晶体管的最大集电极-发射极电压为30V,最大集电极电流为100mA,适用于中等功率放大和开关应用。在工作温度范围方面,其可在-55°C至+150°C之间稳定运行,适应各种工业和消费类电子设备的需求。
  该晶体管还具有较高的电流增益带宽积,确保了在高频工作时仍能保持良好的增益特性。这种特性使得STN2NE10L在高频放大器、振荡器和混频器等射频电路中表现优异。

应用

STN2NE10L 主要用于射频和微波电路中的低噪声放大器设计,特别是在广播接收器、无线通信设备和测试仪器中。它在高频信号放大中表现出色,适用于调频(FM)无线电接收器、电视调谐器、无线局域网(WLAN)设备以及各种射频前端模块。此外,该晶体管也可用于射频振荡器和混频器设计,以提供高稳定性和低噪声性能。在工业控制和消费电子产品中,STN2NE10L 可用于中等功率放大、信号处理和高频开关应用,确保系统在高频环境下保持稳定和高效的运行。

替代型号

2N3904, BF199, BF200

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STN2NE10L参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C400 毫欧 @ 1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds345pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)