STN2NE10L 是一款双极型晶体管(NPN型),属于低噪声高频率晶体管。该器件由意法半导体(STMicroelectronics)制造,广泛用于射频(RF)和微波应用,特别是在低噪声放大器(LNA)设计中表现出色。其设计支持高频工作,适用于通信系统、广播接收器和其他需要高增益和低噪声性能的电路。
晶体管类型:NPN型双极晶体管
最大集电极电流:100 mA
最大集射电压:30 V
最大基射电压:5 V
最大耗散功率:300 mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-92
过渡频率:250 MHz
噪声系数:0.55 dB(典型值)
电流增益带宽:250 MHz
STN2NE10L 拥有卓越的低噪声性能,使其成为低噪声放大器(LNA)设计的理想选择,尤其是在射频接收前端。该器件的高过渡频率(ft)达到250 MHz,能够支持高频信号放大应用。其噪声系数在典型工作条件下低至0.55 dB,显著减少了信号传输中的噪声干扰,提高了信号的清晰度。
此外,STN2NE10L 采用TO-92封装形式,具有良好的热稳定性和机械可靠性,适合在多种环境条件下使用。该晶体管的最大集电极-发射极电压为30V,最大集电极电流为100mA,适用于中等功率放大和开关应用。在工作温度范围方面,其可在-55°C至+150°C之间稳定运行,适应各种工业和消费类电子设备的需求。
该晶体管还具有较高的电流增益带宽积,确保了在高频工作时仍能保持良好的增益特性。这种特性使得STN2NE10L在高频放大器、振荡器和混频器等射频电路中表现优异。
STN2NE10L 主要用于射频和微波电路中的低噪声放大器设计,特别是在广播接收器、无线通信设备和测试仪器中。它在高频信号放大中表现出色,适用于调频(FM)无线电接收器、电视调谐器、无线局域网(WLAN)设备以及各种射频前端模块。此外,该晶体管也可用于射频振荡器和混频器设计,以提供高稳定性和低噪声性能。在工业控制和消费电子产品中,STN2NE10L 可用于中等功率放大、信号处理和高频开关应用,确保系统在高频环境下保持稳定和高效的运行。
2N3904, BF199, BF200