时间：2025/6/17 0:10:19
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RFD16N06LESM9A 是一款 N 沣道通的沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的制程技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。
它适合用于各种高效能开关应用，如 DC-DC 转换器、电池管理电路、负载开关以及电机驱动等场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：16A
导通电阻：4.5mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷：28nC（典型值）
输入电容：780pF（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263 (D2PAK)
RFD16N06LESM9A 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低传导损耗并提高效率。
2. 快速开关特性，适用于高频开关应用。
3. 高雪崩能力，提高了器件在异常情况下的可靠性。
4. 采用无铅环保材料，符合 RoHS 标准。
5. 优化的热设计确保了在高温环境下的稳定运行。
6. 封装坚固耐用，适合表面贴装工艺。
RFD16N06LESM9A 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流和主开关。
2. 电动工具和小型家电中的电机驱动。
3. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
4. 工业控制设备中的功率转换和信号调节。
5. 便携式电子设备中的电池管理和充电电路。
6. 高效 DC-DC 转换器模块。
RFD16N06L, IRF16N06S, STP16NF06
